工作频率：2.2 GHz至2.4 GHz
　　输出功率：典型值为750 W（脉冲模式）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：70%以上
　　工作电压：50 V
　　封装形式：螺栓固定陶瓷封装（flanged ceramic package）
　　输入和输出阻抗：50 Ω（标称值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

QPD1018具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率射频应用中表现出色。该器件的核心技术基于GaN on SiC材料，提供了比传统LDMOS晶体管更高的功率密度和更高的工作频率能力。其高击穿电压特性（通常超过100 V）允许器件在更高的电压下运行，从而降低电流需求，减少损耗并提高效率。
　　QPD1018在2.2 GHz至2.4 GHz频段内可提供高达750 W的脉冲输出功率，适用于多种通信和军事应用。其18 dB的典型小信号增益确保了良好的系统级增益管理，减少了前级放大器的设计复杂度。
　　该晶体管采用了50 Ω输入和输出阻抗匹配设计，简化了与外围电路的集成，降低了设计难度和成本。此外，QPD1018具有良好的热稳定性，其SiC衬底提供了优异的热导性能，使得器件能够在高温环境下稳定运行。
　　在效率方面，QPD1018表现出高达70%以上的漏极效率，适用于对功耗敏感的应用。该器件支持连续波（CW）和脉冲工作模式，具有良好的线性度和互调性能，适合用于复杂调制信号的放大。

QPD1018广泛应用于多个高性能射频系统中。在无线通信领域，它被用于第四代（4G）和第五代（5G）基站的射频功率放大器模块，特别是在需要高输出功率和高效率的场景中。此外，QPD1018还被用于军事通信、雷达系统以及电子战设备，其高功率处理能力和稳定性使其在脉冲雷达应用中表现出色。
　　在测试和测量设备方面，QPD1018可用于构建高功率射频信号源或功率放大器模块，为无线设备的测试提供稳定可靠的信号输出。由于其在高频段的优异性能，该器件也被广泛用于微波通信、卫星通信地面站和广播系统中。
　　QPD1018还适用于需要宽带功率放大的应用，例如工业加热系统、医疗设备中的射频能量传输系统以及科研实验设备中的高功率信号发生器。

QPD1013, QPD1008, T2C1002K