您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AON7403

AON7403 发布时间 时间:2025/7/16 9:40:51 查看 阅读:7

AON7403是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄小外形晶体管封装(TSOT-23),具有极低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于多种功率转换应用。AON7403设计用于要求高效能、低功耗以及紧凑空间的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TSOT-23-6
  最大漏源电压Vds:30V
  最大栅源电压Vgs:±12V
  最大连续漏极电流Id:4.8A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:0.6W
  工作温度范围Tj:-55°C至+150°C

特性

AON7403以其低导通电阻而著称,这使得其在开关电源、负载切换和DC-DC转换器等应用中能够提供高效的性能。
  AON7403还具有快速开关速度和较低的输入电容,有助于减少开关损耗。
  其小型化的TSOT-23封装非常适合于对空间敏感的设计,同时保持了良好的散热性能。
  此外,该MOSFET具有出色的雪崩能力和ESD保护功能,增强了其在实际应用中的可靠性。

应用

AON7403广泛应用于消费电子、计算机及通信设备领域。
  典型应用场景包括:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC转换器中的开关元件
  - 电池管理系统的负载开关
  - 便携式设备中的电源管理
  - 多种工业控制应用中的功率开关

替代型号

AON7401, AON7402, FDMT7403

AON7403推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AON7403资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

AON7403参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1303-6