工作频率：1.8 GHz - 2.4 GHz
　　输出功率：1600 W（脉冲）
　　漏极电压：70 V
　　漏极电流：32 A（脉冲）
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：>70%
　　封装类型：气腔陶瓷封装
　　输入和输出阻抗：50 Ω

QPD1016L 采用先进的 GaN-on-SiC 技术，提供卓越的热性能和高可靠性，适用于苛刻的高频高功率应用场景。
　　该器件具备高输出功率密度，在 1.8 GHz 至 2.4 GHz 频率范围内能够提供高达 1600 W 的脉冲输出功率，适用于脉冲雷达和高功率放大器应用。
　　晶体管的增益典型值为 14 dB，具有良好的小信号和大信号性能，确保在各种驱动条件下都能保持稳定的工作状态。
　　QPD1016L 的高效率特性使其在运行过程中功耗较低，减少了对散热系统的要求，从而提高了整体系统的能效和可靠性。
　　器件采用气腔陶瓷封装，具备良好的射频性能和散热能力，适合用于高功率射频放大器模块的设计。
　　该晶体管在 5G 基础设施、军用雷达、测试测量设备和广播系统中都有广泛的应用，是一款高性能的射频功率器件。

QPD1016L 主要用于 5G 无线基站和毫米波通信系统的射频功率放大器模块。
　　在军事和民用雷达系统中，QPD1016L 作为高功率发射器的核心元件，提供稳定的射频输出。
　　工业测试和测量设备中，该器件可用于信号发生器和高功率放大器，支持高频信号的测试与校准。
　　此外，QPD1016L 还适用于广播和通信系统中的高功率射频放大，如数字电视和无线通信基站。
　　由于其高可靠性和优异的热管理性能，QPD1016L 也广泛应用于恶劣环境下的高功率射频系统，如航空航天和国防领域。

QPD1019, QPD1014A, CGH40025P