QPD1008 时间：2025/8/15 19:43:34 阅读：26

QPD1008 是一款由 Qorvo 公司生产的高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），广泛用于射频（RF）功率放大器应用。该器件基于 GaN 技术，具有优异的功率密度、效率和热性能，适用于从1.8 GHz到3.5 GHz的频率范围。QPD1008在无线通信基础设施、雷达系统、测试设备和其他高功率射频应用中表现突出。

参数

工作频率：1.8 GHz 至 3.5 GHz
　　输出功率：100 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　漏极电流：1 A（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：超过70%（典型值）
　　封装类型：螺栓式金属封装
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出

特性

QPD1008 采用先进的 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术，提供高功率密度和优异的热管理能力，能够在高频率下实现高效的功率放大。该器件具有高击穿电压和良好的线性度，适用于多种调制方案，包括OFDM、CDMA和LTE等。其宽频率响应和高可靠性使其成为通信系统中理想的功率放大器元件。此外，QPD1008 还具备出色的耐用性和抗干扰能力，适合在恶劣环境条件下运行。
　　该晶体管的设计考虑了热管理和射频性能的平衡，确保在高功率操作下仍能保持稳定。QPD1008 在匹配网络方面已经进行了内部优化，减少了外部元件的需求，从而降低了设计复杂度并提高了整体系统效率。这种集成式设计还简化了电路板布局，缩短了产品上市时间。

应用

QPD1008 主要用于高性能射频功率放大器系统，包括蜂窝基站、雷达发射机、测试与测量设备、宽带通信系统以及军事和航空航天应用。其宽频率范围和高输出功率使其适用于多种无线通信标准和技术，如4G LTE、WiMAX、DVB-T和其他高功率射频传输系统。此外，QPD1008 还可用于工业加热和等离子体生成等非通信领域。