时间：2025/4/30 10:42:28
阅读：31
PMEG2010AEJ,115 是一款基于超结（Super-Junction）技术的高压 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。这款器件具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，适合应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高频和高效能表现的领域。
该器件采用 TO-220AC 封装，提供卓越的散热性能，并且能够承受较高的电压。其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡，以满足现代电力电子系统对功率密度和效率的要求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：19nC
总电容：2450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 使用超结技术实现更低的导通电阻，从而减少传导损耗。
2. 快速开关速度有助于降低开关损耗并提高效率。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 提供出色的热稳定性和电气性能，适用于恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内部结构经过优化，有效减少了米勒效应，提高了抗噪能力。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动和控制
3. DC-DC 转换器
4. PFC（功率因数校正）电路
5. 电池充电器
6. 各类工业和消费类电子产品中的功率转换应用
