类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率：最大至1 GHz
　　最大漏极电压（VDS）：65 V
　　最大漏极电流（ID）：3.5 A
　　最大功率耗散（PD）：250 W
　　输出功率（CW）：在225 MHz下为100 W
　　增益：约20 dB
　　效率：约65%
　　封装类型：塑料封装（表面贴装）

QPD1004SR是一款基于LDMOS技术的射频功率晶体管，具备出色的电气性能和热管理能力。该器件的工作频率范围涵盖从低频到1 GHz，使其适用于广泛的射频应用。其高漏极电压容限（65V）和大漏极电流能力（3.5A）确保其在高功率应用中的稳定性。QPD1004SR的最大功率耗散为250W，能够在高功率环境下长时间运行而不会因过热导致性能下降。
　　此外，该晶体管在225 MHz下可提供100W的连续波（CW）输出功率，增益约为20 dB，使其在射频放大器设计中表现出色。其效率高达65%，有助于减少系统功耗并提高整体能效。该器件采用表面贴装的塑料封装形式，便于集成到现代射频电路板设计中，同时降低了生产成本。
　　QPD1004SR还具备良好的热稳定性和高可靠性，适合在恶劣环境下运行。其线性度优异，适用于需要高信号保真的应用，例如广播发射机和通信基站。此外，该晶体管在工业加热和医疗设备中也有广泛应用，因其能够在高频下提供稳定的功率输出。

QPD1004SR 主要用于需要高功率和高频率性能的射频系统中。其典型应用包括广播发射机（如FM和TV广播）、通信基础设施（如蜂窝基站和无线接入网络）、工业射频加热设备（如等离子体发生器和材料处理系统）以及测试和测量仪器（如信号发生器和功率放大器）。此外，该晶体管还可用于医疗设备中的射频能量传输系统和雷达系统中的功率放大模块。

QPD1010SR, QPD1008SR, MRF151G, MRF150