时间：2025/12/28 18:47:00
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IS25LP256D-RMLE-TY 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗的串行闪存（Serial NOR Flash）芯片。该芯片采用SPI（Serial Peripheral Interface）接口，具有256Mbit的存储容量，适用于需要大容量非易失性存储器的应用场景。IS25LP256D-RMLE-TY 支持多种读写模式，包括单线、双线和四线SPI，提供灵活的数据传输选项。该器件广泛用于嵌入式系统、工业控制、网络设备、消费电子产品以及汽车电子中，作为程序存储、数据存储和固件更新的解决方案。
容量：256 Mbit
电压范围：2.3V 至 3.6V
接口类型：SPI（支持单线、双线、四线模式）
时钟频率：最高可达133 MHz（四线模式下）
封装类型：8-Pin SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取模式：支持单线、双线、四线SPI模式
写保护功能：硬件写保护（WP#）和软件写保护
擦除块大小：4KB、32KB、64KB 和整片擦除
编程时间：典型值为1.3ms（页编程）
擦除时间：典型值为30ms（4KB 块擦除）
数据保持时间：超过20年
擦写次数：10万次以上
IS25LP256D-RMLE-TY 是一款高性能的串行NOR Flash存储器，具备低功耗、高可靠性和灵活的接口配置。其主要特性包括支持多种SPI模式（单线、双线、四线），可在高速数据传输应用中提供优异的性能。该芯片的四线SPI模式支持最高133MHz的时钟频率，显著提升数据吞吐量，适用于需要快速读取大量数据的应用，如图像存储、固件加载等。
芯片内部集成了硬件写保护引脚（WP#）和软件写保护机制，可有效防止意外的数据写入或擦除操作，增强系统的稳定性与安全性。此外，IS25LP256D-RMLE-TY 提供多种擦除块大小选择（4KB、32KB、64KB 和整片擦除），允许用户根据实际需求进行灵活的存储管理，减少不必要的擦除操作，提高存储效率。
该器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适应多种电源设计环境，并具备良好的抗干扰能力。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和汽车级应用场景。数据保持时间超过20年，擦写次数可达10万次以上，具备出色的长期可靠性和耐用性。
IS25LP256D-RMLE-TY 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器、智能电表、医疗设备、消费类电子产品（如智能穿戴设备、平板电脑）以及汽车电子模块（如ECU、T-BOX、车载娱乐系统）等。此外，它也常用于固件存储、配置数据保存、日志记录以及实时操作系统（RTOS）中的程序引导。
IS25LP128D-RMLE-TY, IS25LP512M-RMLA-TY, S25FL256SAGMFI011, MX25U25635FZNI-10G
