工作频率范围：DC - 4 GHz
　　输出功率：典型值27 dBm（在2.7 GHz下）
　　增益：约20 dB
　　电源电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TDFN（热增强型塑料封装）

QPD1003具备多项优异特性，使其成为宽带射频功率放大应用中的理想选择。首先，其宽频工作能力（DC至4 GHz）使得该芯片可适应多种通信标准和频段需求，无需更换硬件即可实现多频段操作。其次，QPD1003采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，提供高增益和低噪声性能，同时在高功率输出下仍能保持良好的线性度和效率，从而减少信号失真并提高系统整体性能。
　　该芯片内置热保护和电流保护机制，增强了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其热增强型TDFN封装有助于有效散热，确保在高功率运行时保持较低的结温，延长器件寿命。此外，QPD1003的28 V电源供电设计使其能够与多种射频前端模块和功率放大器驱动电路兼容，便于系统集成。
　　QPD1003还具有低功耗待机模式，可在不需要高功率输出时降低能耗，提高能效，适合对功耗敏感的应用场景。整体来看，QPD1003是一款高度集成、性能优异的射频功率放大器芯片，适用于现代通信系统中对高线性度、高效率和宽带操作的严格要求。

QPD1003 主要用于各种无线通信系统的射频前端设计中，特别适用于Wi-Fi 6E、5G基础设施、小型蜂窝基站、分布式天线系统（DAS）、宽带无线接入设备、工业物联网（IIoT）通信模块以及测试与测量设备等应用场景。其宽频带特性和高线性输出性能，使其成为多频段和多标准通信系统中的理想选择。此外，QPD1003也可用于军事和航空航天通信系统中，以满足对高可靠性和高稳定性的要求。

HMC8205BF10, RFPA2843, SKY65117-11