QPC8015QSR 是一款由 Qorvo 公司设计的射频功率晶体管(RF Power Transistor),专为高功率射频应用而设计。该器件基于硅双极型晶体管(Si BJT)技术制造,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段以及广播和通信设备中的功率放大器系统。QPC8015QSR 能够在高频率下提供出色的输出功率和效率,是一款在射频能量和通信领域广泛应用的功率晶体管。
制造商: Qorvo
类型: 硅双极型射频功率晶体管 (Si BJT)
频率范围: 最高至 500 MHz
最大输出功率: 125 W (典型值)
电源电压: 30 V
最大集电极电流: 1.2 A
封装类型: 塑料封装(表面贴装,SMD)
工作温度范围: -65°C 至 +150°C
增益(Gp): 12 dB @ 225 MHz
效率(Efficiency): 60% @ 225 MHz
QPC8015QSR 的主要特性之一是其能够在高频率下提供显著的输出功率,适用于 225 MHz 附近的射频应用。其硅双极型晶体管结构提供了良好的热稳定性和可靠性,适用于高要求的工业和通信环境。
该器件采用表面贴装封装,减少了印刷电路板(PCB)的空间占用,并简化了组装过程,适用于现代射频功率放大器的紧凑型设计。此外,QPC8015QSR 具有良好的热管理和抗热击穿能力,能够在高温环境下稳定运行。
该晶体管在增益和效率方面表现出色,在 225 MHz 工作频率下提供约 12 dB 的增益和 60% 的效率,有助于提高整体系统性能并降低功耗。此外,其 30 V 的电源电压支持确保了在高功率输出下的稳定性。
QPC8015QSR 还具有较高的线性度和较低的失真水平,适用于需要高质量信号放大的应用,例如广播发射器和射频测试设备。
QPC8015QSR 广泛应用于射频功率放大器的设计中,尤其是在 ISM(工业、科学和医疗)频段和 HF/VHF/UHF 通信系统中。它适用于广播设备、射频加热系统、医疗射频设备、测试与测量仪器以及高功率无线发射器。
在广播设备中,QPC8015QSR 可用于中波和短波发射器的末级功率放大器,提供高效的信号放大。在工业和医疗领域,该器件可用于射频能量应用,如材料加热、等离子体生成和物理治疗设备。
此外,QPC8015QSR 还可用于通信基础设施,例如陆地移动无线电(LMR)系统和 HF/VHF 电台,确保高可靠性、高功率输出和良好的信号质量。在测试与测量设备中,它被用于构建高功率射频信号源,为射频组件和系统提供稳定的测试信号。
MRF151G, BLF188X, 2SC2879