时间：2025/9/14 3:29:13
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BUK9M4R3-40HX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统和汽车电子等多种应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.3mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
BUK9M4R3-40HX 具有极低的导通电阻，使其在高电流工作条件下具备优异的导通损耗表现。器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了高电流密度和稳定的开关性能。
该MOSFET支持高栅极电压驱动（最高10V），有助于降低Rds(on)，从而减少功率损耗并提高系统效率。
其PowerSO-10封装设计具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，并支持高密度PCB布局。此外，这款MOSFET具备高雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关等场景，从而提高整体电源系统的效率。
此外，BUK9M4R3-40HX 还具备良好的抗短路能力，能够在突发短路事件中保持稳定，提高系统的安全性和可靠性。
BUK9M4R3-40HX 广泛应用于需要高效能功率管理的电子系统中，例如服务器电源、DC-DC转换模块、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及汽车电子中的功率控制单元。
在服务器和通信设备中，该器件可用于高效电源模块的设计，提高能效并减少散热需求。
在汽车电子领域，该MOSFET适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电动水泵控制器等高可靠性需求的应用。
此外，该器件还可用于工业自动化控制系统、不间断电源（UPS）及光伏逆变器中的功率开关部分。
IRF1404、SiR142DP、FDMS7610、STP150N4F3LL-1、IPD90N03S4-07
