QPA2935 时间：2025/8/15 8:07:16 阅读：30

QPA2935 是由 Qorvo 公司生产的一款高功率 GaN（氮化镓）放大器芯片，主要用于射频（RF）和微波频段的高功率应用。该器件基于 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术，具备高功率密度、高效率和优异的热管理性能，适用于通信基础设施、雷达、测试设备以及工业和军事射频系统。

参数

频率范围：1.8 GHz - 2.4 GHz
　　增益：约 22 dB
　　输出功率：约 30 W（连续波）
　　效率：约 60%（PAE）
　　输入驻波比：约 2.5:1
　　工作电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：6 x 5 mm

特性

QPA2935 的核心优势在于其 GaN 技术提供的高功率处理能力和高能效。与传统的 LDMOS 放大器相比，GaN 器件能够在更高的频率下提供更高的输出功率和更好的热性能。QPA2935 在 1.8 GHz 到 2.4 GHz 的频率范围内表现出稳定的性能，适用于多种无线通信标准，如 LTE、WiMAX 和 5G 基站。其高增益和线性度使得它能够用于中功率发射机的驱动级或最终功率放大级。
　　此外，QPA2935 采用紧凑型表面贴装封装，便于自动化组装并集成到现代射频系统中。它的高效率特性降低了功耗和散热需求，从而提升了系统整体的可靠性和寿命。该芯片还具有良好的失真性能，适合需要高线性度的应用，如数字预失真（DPD）系统。