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IRF7457 发布时间 时间:2025/5/22 22:15:11 查看 阅读:26

IRF7457 是一款 N 沣道沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换应用。IRF7457 采用 TO-263 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
  该 MOSFET 的设计目标是提供高效的功率处理能力,并且其优化的 Rds(on) 参数能够显著降低传导损耗。此外,它具备良好的热性能和电气性能,适合需要紧凑设计和高效率的电路。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  栅极电荷:19nC
  导通电阻:3.8mΩ
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

IRF7457 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),典型值为 3.8mΩ,能够在大电流条件下减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,栅极电荷低至 19nC,有助于提高整体系统效率。
  3. 较高的漏极电流能力,允许高达 50A 的连续电流通过,满足大功率应用需求。
  4. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  6. 热阻较低,保证了长时间运行时的可靠性与稳定性。

应用

IRF7457 广泛用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关 MOSFET。
  3. 电机驱动器中作为功率输出级,控制电机转速和方向。
  4. 工业自动化设备中的功率调节和负载切换。
  5. 各种电池管理系统中的保护和充放电控制电路。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IRF7407, IRF7410, IRF7417

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IRF7457参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7457