制造商: Qorvo
　　晶体管类型: GaN HEMT
　　频率范围: DC 至 6 GHz
　　输出功率: 高达 100 W（典型值）
　　增益: 20 dB（典型值）
　　漏极电压: 28 V
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　封装类型: 螺旋式金属封装
　　输入/输出阻抗: 50Ω

QPA1011 的主要特性之一是其基于 GaN 技术的高功率密度，这使得它能够在相对较小的封装中提供高输出功率。该晶体管具有优异的热性能，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，从而提高了整体系统的可靠性。此外，QPA1011 提供了宽频率覆盖范围（从 DC 到 6 GHz），使其适用于多种不同的射频应用。
　　该器件的高增益（20 dB 典型值）和良好的线性度确保了信号传输的保真度，这对于需要高数据完整性的通信系统尤为重要。QPA1011 还具备较高的抗失真能力，使其在高功率应用中仍能保持较低的互调失真（IMD），从而提升系统性能。
　　此外，QPA1011 采用 28 V 漏极电压供电，具有较高的能效，减少了系统的功耗和散热需求。其 50Ω 输入/输出阻抗设计也简化了与射频前端电路的匹配过程，降低了设计复杂性并加快了产品开发周期。

QPA1011 广泛应用于多种高性能射频系统中，包括无线基站、雷达系统、测试和测量设备、工业加热设备以及卫星通信系统等。由于其出色的高功率处理能力和宽带性能，QPA1011 特别适用于需要在 L 波段和 S 波段工作的发射机系统。此外，该器件还适用于需要高线性度和低失真的通信基础设施，例如 4G 和 5G 基站、WiMAX 系统以及军事和航空航天领域的电子战系统。
　　在测试设备中，QPA1011 被用作信号发生器和功率放大器模块中的关键组件，提供稳定的高功率输出。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境下的长期运行，如户外通信设备和工业控制系统。

QPA1007, QPA1013, Cree 的 CGH40100F