类型：射频功率晶体管
　　技术：GaAs FET
　　封装：H5（5引脚金属封装）
　　频率范围：2.5 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为250 W（脉冲模式）
　　增益：典型值为14 dB
　　漏极效率：典型值为55%
　　工作电压：+28 V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

QMV874BH5采用了Qorvo先进的GaAs场效应晶体管（FET）技术，具备高功率密度和高可靠性。该晶体管专为在2.5 GHz至2.7 GHz频段内运行而优化，适用于需要高线性度和高效率的脉冲雷达和通信系统。其高输出功率和优良的热管理能力确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　该器件采用H5金属封装，提供了良好的散热性能，有助于延长器件寿命并提高系统稳定性。此外，QMV874BH5具有良好的互调失真（IMD）性能，使其在多载波和宽带应用中表现出色。其高增益和低失真特性减少了对前级驱动的需求，从而简化了整体系统设计。
　　该晶体管还具备出色的抗失配能力，能够在不同的负载条件下保持稳定的工作状态，降低了系统设计中的匹配网络复杂度。同时，其宽工作温度范围使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，如航空航天、国防和工业设备。

QMV874BH5广泛应用于2.5 GHz至2.7 GHz频段的射频和微波放大器设计中，特别适合用于脉冲雷达、通信中继、基站放大器以及测试和测量设备。由于其高输出功率和优异的线性性能，该晶体管也常用于需要高可靠性与高稳定性的军事和航空航天领域。此外，该器件还可用于工业自动化系统中的射频能量传输应用，如射频加热和等离子体生成设备。

QMV874BH5的替代型号包括Qorvo的QMV874BH和QMV874BHD。这些型号在性能参数和封装形式上相似，可以在不改变系统设计的前提下实现替代。此外，其他厂商的类似产品，如Cree/Wolfspeed的CGH40025和NXP的AFT05HP0045，也可作为潜在替代选项，但可能需要对偏置电路或匹配网络进行适当调整以确保最佳性能。