QMV863-1CF5 时间：2025/8/12 16:40:53 阅读：12

QMV863-1CF5是一款由Qorvo公司设计的高性能射频（RF）晶体管，属于其GaN（氮化镓）功率晶体管系列。这款晶体管专门用于高频和高功率应用，具有优异的线性度、高效率和可靠性，适用于通信、雷达、测试设备和工业应用。QMV863-1CF5采用了先进的GaN技术，能够在高频率下提供高输出功率，同时保持较低的直流功耗。

参数

频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　工作电压：28 V
　　输出功率：863 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：>60%
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

QMV863-1CF5晶体管采用了Qorvo的GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）技术，使其在高频下具备出色的功率处理能力。这种技术不仅提供了高热导率，还增强了器件的可靠性，使其在高温环境下仍能稳定运行。QMV863-1CF5的封装设计优化了散热性能，确保在高功率条件下仍能保持良好的热管理。此外，该晶体管具有优异的抗失真能力，适用于需要高线性度的应用，如宽带无线接入、LTE基础设施和军事通信系统。
　　该器件的另一个关键特性是其宽频率覆盖范围，支持2.7 GHz至3.5 GHz的频率操作，适用于多种现代通信标准。QMV863-1CF5的高效能设计使其成为替代传统LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管的理想选择，特别是在需要更高效率和更高功率密度的应用中。此外，其高耐用性使其在极端环境条件下仍能保持稳定性能，适合用于雷达、电子战和测试设备等关键任务系统。