容量：128K x 8 位
　　电压：3.3V 或 5V（视具体版本而定）
　　访问时间：15ns
　　封装：48-TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　工作模式：异步SRAM
　　封装类型：表面贴装
　　数据保持电压：2V（最小值）

HN29C101BP-15是一款高性能的异步静态RAM，具备高速读写能力，访问时间仅为15纳秒，适用于对响应速度要求较高的系统。其128K x 8位的存储结构使其在存储数据时具备较高的灵活性，适用于缓存、缓冲器或临时数据存储的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，即使在高频操作下也能保持良好的能效表现。
　　该器件支持3.3V或5V电源供电，具体取决于型号后缀（例如HN29C101BP-15可能为5V版本），具有较宽的电压兼容性，适合多种系统环境。此外，它具备良好的抗干扰能力和稳定的工作性能，适用于工业控制、通信设备、网络设备等对可靠性要求较高的场合。
　　HN29C101BP-15采用48引脚TSOP封装，厚度较薄，便于在紧凑型电路板上布局，并支持表面贴装工艺，提高了装配效率和成品率。其工作温度范围通常为工业级（-40°C至+85°C），能够适应较为严苛的工作环境。

该芯片广泛应用于需要快速数据访问的嵌入式系统，如工业自动化控制设备、数据采集系统、网络路由器和交换机、通信模块、测试测量仪器以及智能卡读写器等。由于其低功耗与高速特性，HN29C101BP-15也常被用于手持设备和便携式电子产品中作为高速缓存或数据缓冲器使用。

IS61LV10248ALLB4-15、CY62148EVLL-45、AS7C31026C-10TC、IDT71V413S15PFG、HN58C1000BP-15