类型：硅双极型晶体管（BJT）
　　封装形式：TO-247金属封装
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：125V
　　最大集电极电流（IC）：3.5A
　　最大功耗（PD）：125W
　　频率范围：高达500MHz
　　增益（hFE）：约60-250（根据工作条件）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　集电极-基极电容（Ccb）：约15pF

QMV766CH5具有优异的高频性能和高功率处理能力，适用于要求苛刻的射频放大电路。其主要特性包括：
　　1. **高功率输出**：在适当的散热条件下，QMV766CH5可以提供高达125W的连续波（CW）功率输出，非常适合高功率射频放大器应用。
　　2. **良好的热管理**：TO-247金属封装提供了优良的热传导性能，确保晶体管在高功率运行时仍能保持稳定的工作温度。
　　3. **宽频率响应**：该晶体管在500MHz以下的频率范围内表现出色，适合用于VHF、UHF以及部分L波段的通信系统。
　　4. **高增益**：QMV766CH5的增益范围在60至250之间，能够提供足够的信号放大，减少级联放大器的级数，简化电路设计。
　　5. **低失真**：该晶体管具有良好的线性特性，能够在高功率输出下保持较低的信号失真，满足高保真度应用的需求。
　　6. **可靠性高**：采用成熟的硅双极型工艺和金属封装技术，确保其在恶劣环境下的稳定性和长寿命。

QMV766CH5广泛应用于需要高功率射频放大的各种电子系统中，包括：
　　1. **无线通信**：作为射频功率放大器用于基站、中继器和个人通信设备，支持多种调制格式。
　　2. **广播设备**：在AM/FM广播发射机中用作末级功率放大器，提供高效率和稳定输出。
　　3. **工业与科学仪器**：用于高频加热、测试设备和测量仪器中的功率放大模块。
　　4. **雷达与军用通信**：在雷达发射机和军事通信系统中提供高可靠性的射频功率输出。
　　5. **业余无线电**：受到业余无线电爱好者欢迎，用于自制的高功率发射机和放大器系统。

MJ15003G, 2N3553, BLF177