型号：UT35N06
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：35A（@25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：140A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：1700pF（@VDS=25V）
　　输出电容(Coss)：480pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　最大功耗(PD)：200W（@TC=25℃）
　　工作结温(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

UT35N06具备优异的导通与开关特性，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为28mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。尤其在大电流应用场景中，如DC-DC降压变换器或同步整流电路中，低RDS(on)意味着更小的I2R损耗，有助于减少发热并提升电源效率。此外，在VGS=4.5V时RDS(on)仍可保持在35mΩ以内，表明该器件在低电压驱动条件下依然具备良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合，无需额外的电平转换或高电压驱动电路，简化了系统设计。
　　该器件具有较快的开关速度，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss=1700pF，Coss=480pF），使得在高频开关应用中能够实现快速的电压建立与电荷释放，从而减少开关过渡过程中的能量损耗。同时，其反向恢复时间trr为28ns，相较于传统MOSFET有所优化，有助于降低与体二极管相关的反向恢复损耗，特别适用于需要频繁开关操作的拓扑结构，如半桥、全桥或同步整流电路。这种特性在提高开关频率的同时仍能维持较高效率，有利于缩小外围滤波元件体积，实现电源小型化。
　　UT35N06的热稳定性良好，最大功耗可达200W（在理想散热条件下），结温范围宽达-55℃至+150℃，使其能够在恶劣环境温度下稳定运行。其采用的TO-220封装具备良好的热传导路径，便于安装散热片以增强散热能力，适合长时间高负载工作的工业设备。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，提升了系统可靠性。整体而言，UT35N06在性能、成本与可靠性之间取得了良好平衡，是中功率开关电源设计中的优选器件之一。

UT35N06广泛应用于各类中等功率的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在Buck（降压）、Boost（升压）和Flyback（反激）拓扑中作为主开关管使用。由于其60V的耐压等级，非常适合用于12V或24V输入的工业电源、通信电源模块以及嵌入式系统供电单元。在DC-DC转换器中，UT35N06常用于非隔离式降压电路，驱动负载电流可达数十安培，适用于服务器主板VRM、FPGA或CPU供电模块等高性能数字电路的电源管理。
　　此外，该器件也常见于电机驱动电路，如直流有刷电机控制、步进电机驱动器中的H桥结构，利用其低导通电阻和快速响应能力实现高效调速与正反转控制。在电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）和小型电动车控制系统中均有应用。UT35N06还可用于LED恒流驱动电源，尤其是在高亮度LED照明系统中作为功率开关，配合PWM调光实现高效节能。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类电源适配器和充电器。由于其具备良好的鲁棒性和热性能，UT35N06也适用于环境条件较为严苛的工业自动化设备和户外电子装置。随着对能效要求的不断提升，该器件在绿色能源和智能电网相关设备中的应用也在逐步扩展。

AP35N06, STP35NF60, FQP35N06L, IRF3710, NTD35N06L