QMV554ET5 时间：2025/8/12 20:22:07 阅读：28

QMV554ET5是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高频率应用而设计，常用于射频（RF）和微波放大器、混频器、振荡器等高频电路中。QMV554ET5具有优异的高频性能和低噪声特性，使其成为通信设备和测试仪器中的理想选择。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流（Ic）：10 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：20 V
　　最大功耗（Pd）：100 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　噪声系数（NF）：1.8 dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：50-300（根据工作条件）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

QMV554ET5的主要特性包括其优异的高频性能和低噪声系数，这使其非常适合用于射频前端电路。其过渡频率（fT）高达250 MHz，能够在高频环境下保持良好的增益表现。此外，该晶体管的噪声系数为1.8 dB，能够有效减少信号放大过程中的噪声干扰，提高信号的清晰度。
　　该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其最大集电极电流为10 mA，最大集电极-发射极电压为15 V，适用于低功率放大应用。QMV554ET5的电流增益（hFE）范围为50至300，能够根据不同的偏置条件提供灵活的设计选项。
　　此外，QMV554ET5的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件，包括工业级和军事级应用。

应用

QMV554ET5广泛应用于高频电子电路中，尤其是在射频和通信领域。常见的应用包括射频放大器、低噪声放大器（LNA）、混频器、振荡器和调制器等。其低噪声特性使其成为无线通信设备中前端放大器的理想选择，能够有效提升信号的接收质量。
　　此外，该晶体管也常用于测试和测量设备，如频谱分析仪和信号发生器，以确保高频信号的稳定性和准确性。在消费类电子产品中，QMV554ET5也可用于蓝牙模块、Wi-Fi模块和FM收音机等应用中的信号放大环节。
　　由于其优异的性能和广泛的工作温度范围，QMV554ET5也适用于工业控制和自动化系统中的高频信号处理模块。