电容值：5.6 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：155（1.0 mm x 0.5 mm）
　　介质材料：C0G (NP0)
　　ESR（等效串联电阻）：<10 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：典型值 6.8 GHz
　　电介质绝缘电阻：1000 MΩ min
　　

QMV155AE5 的最大特点在于其优异的高频性能和稳定性。C0G（NP0）介质材料确保了在宽温度范围内电容值的变化极小，具有非常低的温度系数（通常为0 ppm/°C）。这使得该电容器非常适合对频率稳定性要求极高的应用，如射频振荡器和滤波器。此外，QMV155AE5 具有极低的插入损耗和高Q值，保证了在高频信号路径中的高效传输。
　　该电容器采用了先进的多层结构设计，有效降低了等效串联电感（ESL），从而提高了自谐振频率（SRF），使其能够在高达6.8 GHz的频率下正常工作。这种设计也使得 QMV155AE5 在高速数字电路和射频前端模块中表现出色，能够有效减少信号失真和干扰。
　　另一个重要特性是其优异的机械强度和耐久性。由于采用了高品质陶瓷材料和优化的烧结工艺，QMV155AE5 在热循环和机械应力环境下仍能保持稳定性能。同时，其表面贴装封装设计简化了PCB布局，并提高了装配效率，适合高密度电子产品的制造。
　　此外，QMV155AE5 还具备良好的抗湿性和耐腐蚀性，能够在恶劣环境中稳定工作。这些特性使其成为工业控制、通信基础设施、航空航天电子系统和测试测量设备中的理想选择。

QMV155AE5 主要用于需要高频稳定性和低损耗的电子电路中。常见的应用包括射频放大器的耦合和旁路电容、滤波器中的调谐元件、振荡器电路的反馈电容、以及高频信号路径中的隔直电容。此外，它也广泛应用于无线通信设备（如基站、Wi-Fi模块、蓝牙模块）、射频识别（RFID）系统、卫星通信设备和高频测试仪器中。
　　在现代电子设备中，QMV155AE5 也常用于高速数字电路中的去耦和滤波，以减少高频噪声并提高信号完整性。在射频前端模块中，它可以用于阻抗匹配网络，确保信号在不同电路模块之间的高效传输。此外，QMV155AE5 还适用于精密测量仪器，如频谱分析仪和信号发生器，以确保测量结果的准确性和稳定性。

QMV155AE5的替代型号包括QMV155AF5、QMV155AE50J和QMV155AE103J等。