时间：2025/7/2 12:00:22
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QMK316B7683MLHT 是一款高性能的汽车级功率MOSFET芯片，广泛应用于高电流开关和电源管理场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具备极低的导通电阻和高效的开关性能。它支持高达 650V 的耐压，并具有出色的热稳定性和可靠性，特别适合在恶劣环境下工作。
类型：N-Channel MOSFET
耐压：650V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：76mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：2500pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
QMK316B7683MLHT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：能够承受高达 650V 的电压，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：典型值为 76mΩ，有效降低功耗并提升效率。
3. 快速开关性能：具有较小的栅极电荷和较低的输入电容，确保高速开关操作。
4. 热稳定性强：经过优化设计，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合汽车级标准：满足 AEC-Q101 认证要求，适用于严苛条件下的汽车电子系统。
6. 强大的浪涌电流能力：可承受短时间内大幅增加的电流，增强系统安全性。
QMK316B7683MLHT 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子：如电机驱动、DC-DC 转换器和车载充电器等。
2. 工业控制：用于工业电源、逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
3. 高压开关电源：适用于太阳能逆变器和其他需要高效功率转换的应用。
4. LED 照明：提供高效的负载切换和调光功能。
5. 电池管理系统 (BMS)：用于电池保护和能量分配。
QMK316B7690MLHT, IRFP460, FQA16N65C
