时间：2025/6/21 8:52:29
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QMK212SD821KD-T 是一款高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，通过优化的结构设计，显著降低了功率损耗，同时提高了系统的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：50nC
开关时间：开启时间25ns，关闭时间15ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 具备出色的热稳定性和抗雪崩能力，可承受瞬时过载条件。
4. 小型化封装，便于PCB布局与散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
6. 栅极阈值电压范围适中，兼容多种驱动电路。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 快速充电器和LED驱动器的关键元件。
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L
