SSF65R650S2是一款由Semikron生产的高压IGBT模块,主要应用于工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和其他电力电子设备。该模块采用半桥拓扑结构,具有低导通损耗和开关损耗的特点,能够满足高效率和高可靠性的应用需求。
该模块使用了先进的IGBT芯片技术和优化的封装设计,从而提高了功率密度并降低了热阻。同时,其内置的温度传感器和压敏电阻为系统提供了额外的保护功能。
额定电压:650V
额定电流:65A
最大结温:175℃
开关频率:最高可达20kHz
功耗:典型值为3.4W
导通压降:约1.8V
短路耐受时间:至少10μs
1. 采用第六代IGBT技术,具备更低的开关损耗和更高的效率。
2. 内置温度传感器,能够实时监测模块的工作温度,从而提高系统的可靠性。
3. 集成压敏电阻,用于过电压保护。
4. 使用PressFIT端子连接方式,减少了焊接工序,提升了装配效率。
5. 封装形式为SEMITOP-M,具备良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
SSF65R650S2广泛应用于各种中大功率的电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 工业变频器:用于电机驱动控制,提供高效稳定的输出。
2. 不间断电源(UPS):在电力中断时保障关键设备的持续运行。
3. 太阳能逆变器:将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并接入电网。
4. 电焊机:提供稳定高效的焊接电流。
5. 其他需要高功率密度和高效能的应用场景。
SKM65GB12E4, FF65R12KE4