时间：2025/12/17 15:48:13
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QMK212B7152MDHT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理、电机驱动和信号切换等应用。它采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高效率和高可靠性的情况下工作。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源、负载开关以及电池管理系统等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：90nC
开关时间：典型值 t_on=32ns, t_off=26ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-7
QMK212B7152MDHT 的主要特点是其低导通电阻（仅 1.5mΩ），这显著降低了功率损耗，提升了系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力（48A）和快速的开关性能（开启时间为 32ns，关闭时间为 26ns），非常适合需要高频操作的应用场景。
该芯片还支持宽广的工作温度范围（从 -55℃ 到 +175℃），保证了在极端环境下的稳定性和可靠性。同时，其采用 TO-263-7 封装，提供了良好的散热性能和电气连接灵活性。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件或同步整流器
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）
4. 高效 DC-DC 转换器中的功率级开关
5. 工业自动化控制中的负载开关
6. 通信设备中的功率分配和保护电路
由于其优异的性能，QMK212B7152MDHT 成为许多高性能应用的理想选择。
QMK212B7152MDHTR,
QMK212B7152MDHL,
IRFP2907,
FDP177N06L
