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W947D2HBJX6E TR 发布时间 时间:2025/8/21 5:34:59 查看 阅读:23

W947D2HBJX6E TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片采用 BGA(Ball Grid Array)封装技术,适用于需要高速数据存取的应用场景。该型号属于 DDR4 SDRAM 类别,具有高密度、低功耗和高可靠性等优点。W947D2HBJX6E TR 通常用于嵌入式系统、工业控制、通信设备及消费类电子产品中,为系统提供高效稳定的内存支持。

参数

容量:2Gb
  组织结构:x16
  电压:1.2V
  频率:800MHz
  封装类型:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:DDR4
  数据速率:1600Mbps
  工艺技术:48nm

特性

W947D2HBJX6E TR 作为一款 DDR4 SDRAM 芯片,具有多项先进的技术特性,能够满足高性能系统对内存的需求。
  首先,该芯片的工作电压为 1.2V,相比前代 DDR3 SDRAM 的 1.5V 或 1.35V 明显降低,这有助于减少功耗并提高能效,特别适用于对能耗敏感的设备如便携式电子产品和嵌入式系统。
  其次,该芯片支持 1600Mbps 的数据速率,提供较高的带宽性能,确保数据的快速传输和处理。其频率为 800MHz,符合 DDR4 SDRAM 的标准规范,能够在高速工作环境下稳定运行。
  该芯片采用 x16 的数据宽度配置,适合需要大容量数据吞吐的应用场景。此外,其容量为 2Gb,可以满足中高端设备对内存容量的需求。
  封装方面,W947D2HBJX6E TR 采用 BGA 封装形式,具有良好的电气性能和散热能力,能够在复杂的 PCB 布局中提供更高的稳定性和可靠性。
  该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适应广泛的工业级工作环境,适用于工业控制、通信设备等对温度稳定性要求较高的应用场合。
  此外,W947D2HBJX6E TR 还具备自动刷新、自刷新和温度补偿自刷新(TCSR)等功能,有助于提高存储器的稳定性和数据的完整性,延长数据的保存时间。

应用

W947D2HBJX6E TR 主要应用于对内存性能和稳定性有较高要求的电子设备和系统中。该芯片广泛用于嵌入式系统,如工业计算机、自动化控制设备和智能终端设备,为系统提供高速、低功耗的内存支持。
  在通信领域,该芯片可用于路由器、交换机、基站等通信设备中,确保数据在高速传输过程中的稳定存储和快速访问。
  此外,该芯片也可用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、游戏机等,为设备提供流畅的运行体验和高效的数据处理能力。
  由于其宽温工作范围和高可靠性,W947D2HBJX6E TR 同样适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,满足汽车环境中对内存稳定性的严格要求。
  在物联网(IoT)设备中,该芯片可用于边缘计算设备、智能传感器等,为设备提供可靠的内存支持,确保数据的高效处理和存储。

替代型号

W947D2HBJS6E TR, W947D2HBKX6E TR, W947D2HBJX6I TR

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W947D2HBJX6E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥21.73071卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态最后售卖
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织4M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-VFBGA(8x13)