W947D2HBJX6E TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片采用 BGA(Ball Grid Array)封装技术,适用于需要高速数据存取的应用场景。该型号属于 DDR4 SDRAM 类别,具有高密度、低功耗和高可靠性等优点。W947D2HBJX6E TR 通常用于嵌入式系统、工业控制、通信设备及消费类电子产品中,为系统提供高效稳定的内存支持。
容量:2Gb
组织结构:x16
电压:1.2V
频率:800MHz
封装类型:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:DDR4
数据速率:1600Mbps
工艺技术:48nm
W947D2HBJX6E TR 作为一款 DDR4 SDRAM 芯片,具有多项先进的技术特性,能够满足高性能系统对内存的需求。
首先,该芯片的工作电压为 1.2V,相比前代 DDR3 SDRAM 的 1.5V 或 1.35V 明显降低,这有助于减少功耗并提高能效,特别适用于对能耗敏感的设备如便携式电子产品和嵌入式系统。
其次,该芯片支持 1600Mbps 的数据速率,提供较高的带宽性能,确保数据的快速传输和处理。其频率为 800MHz,符合 DDR4 SDRAM 的标准规范,能够在高速工作环境下稳定运行。
该芯片采用 x16 的数据宽度配置,适合需要大容量数据吞吐的应用场景。此外,其容量为 2Gb,可以满足中高端设备对内存容量的需求。
封装方面,W947D2HBJX6E TR 采用 BGA 封装形式,具有良好的电气性能和散热能力,能够在复杂的 PCB 布局中提供更高的稳定性和可靠性。
该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适应广泛的工业级工作环境,适用于工业控制、通信设备等对温度稳定性要求较高的应用场合。
此外,W947D2HBJX6E TR 还具备自动刷新、自刷新和温度补偿自刷新(TCSR)等功能,有助于提高存储器的稳定性和数据的完整性,延长数据的保存时间。
W947D2HBJX6E TR 主要应用于对内存性能和稳定性有较高要求的电子设备和系统中。该芯片广泛用于嵌入式系统,如工业计算机、自动化控制设备和智能终端设备,为系统提供高速、低功耗的内存支持。
在通信领域,该芯片可用于路由器、交换机、基站等通信设备中,确保数据在高速传输过程中的稳定存储和快速访问。
此外,该芯片也可用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、游戏机等,为设备提供流畅的运行体验和高效的数据处理能力。
由于其宽温工作范围和高可靠性,W947D2HBJX6E TR 同样适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,满足汽车环境中对内存稳定性的严格要求。
在物联网(IoT)设备中,该芯片可用于边缘计算设备、智能传感器等,为设备提供可靠的内存支持,确保数据的高效处理和存储。
W947D2HBJS6E TR, W947D2HBKX6E TR, W947D2HBJX6I TR