QMK212B7103KGHT 是一款由罗姆(ROHM)生产的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽型 MOSFET 系列。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其出色的电气性能和可靠性使得它在工业设备、汽车电子以及消费类电子产品中得到广泛应用。
型号:QMK212B7103KGHT
类型:N-channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
总功耗:17W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-263-3
电容值:Ciss=2030pF, Crss=190pF, Coss=180pF
QMK212B7103KGHT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可显著降低传导损耗。
2. 高效率开关性能,适用于高频应用环境。
3. 大电流承载能力(高达45A),适合高功率密度设计。
4. 优异的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 封装紧凑,易于集成到各种电路板设计中。
这款 MOSFET 芯片的应用领域非常广泛,主要包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 工业自动化系统中的电机控制。
4. 汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
5. 充电器及适配器的高效能量传输。
6. 各种电池管理系统(BMS)中的电流路径管理。
QMK212B7103KGHTR, IRFZ44N, FDP5500