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MMBD3004S T/R 发布时间 时间:2025/8/14 4:23:47 查看 阅读:13

MMBD3004S T/R 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极性开关二极管阵列,广泛用于电子设备中的信号切换、保护电路以及逻辑控制应用。该器件采用SOT-23表面贴装封装,具有低电容和快速开关特性,适合高频应用。MMBD3004S T/R 是一种双二极管结构,具有共阴极连接方式,适用于需要高可靠性和紧凑封装的设计。

参数

类型:双极性开关二极管阵列
  封装类型:SOT-23
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大平均整流电流(Io):200mA
  最大正向压降(VF):1.25V @ 100mA
  最大反向漏电流(IR):100nA @ 100V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  结电容(Cj):10pF @ 0V
  反向恢复时间(trr):15ns

特性

MMBD3004S T/R 具备一系列高性能特性,使其适用于广泛的电子应用。其双二极管配置采用共阴极连接方式,使得该器件能够有效地用于信号隔离、逻辑电平转换和电压钳位等应用。该器件的最大重复峰值反向电压为100V,最大平均整流电流可达200mA,适用于中高电压环境下的信号处理和控制。正向压降为1.25V,在100mA电流下表现良好,确保了较低的功率损耗。此外,该器件的反向漏电流非常低,仅为100nA,即使在高反向电压下也能保持良好的稳定性。
  该器件的反向恢复时间trr为15ns,表明其具有快速的开关特性,适用于高频开关应用。结电容Cj在0V时为10pF,适合用于射频(RF)信号切换和高速逻辑电路。MMBD3004S T/R 的工作温度范围为-55°C至+150°C,满足工业级温度要求,可在恶劣环境中稳定运行。此外,SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,提高了整体设计的灵活性和空间利用率。

应用

MMBD3004S T/R 广泛应用于多个电子领域,包括通信设备、工业控制、电源管理、汽车电子和消费电子产品。在通信系统中,它可用于信号切换和隔离,确保数据传输的稳定性。在工业控制系统中,该器件可用于逻辑控制电路、电压钳位保护和传感器信号处理。在电源管理方面,MMBD3004S T/R 可作为保护二极管或用于反向电流隔离,提高系统的可靠性和效率。在汽车电子中,其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于车载控制系统、传感器接口和电源转换模块。此外,在消费电子产品中,该器件可用于逻辑电平转换、开关控制和信号隔离,满足小型化和高性能的设计需求。

替代型号

1N4148WS, MMBD3003S, BA277, 1N4448

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