时间：2025/7/9 1:48:51
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QMJ316BB7473KLHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
这款器件适用于需要高效能和高可靠性的应用场合，其封装设计也充分考虑了散热性能和电气特性，以满足现代电子设备对小型化和高性能的双重需求。
类型：MOSFET
导电类型：N-Channel
最大漏源电压(Vdss)：700V
最大连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：74mΩ
栅极电荷(Qg)：48nC
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
QMJ316BB7473KLHT 的主要特点是具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和高耐压能力，使其能够在高电压和大电流条件下保持优异的性能。
此外，其快速开关速度降低了开关损耗，从而提高了整体效率。同时，该芯片采用 TO-247 封装，提供了良好的散热性能，有助于在高温环境下稳定运行。
由于其卓越的电气特性和可靠性，QMJ316BB7473KLHT 成为许多工业级和消费级应用的理想选择。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 设计中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的高电压开关元件。
这些应用充分利用了 QMJ316BB7473KLHT 的高效率和稳定性优势。
IRFP460, STP75NF70, FDP18N70
