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MCC44-16I01 B 发布时间 时间:2025/8/6 3:36:01 查看 阅读:22

MCC44-16I01 B 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管。该器件主要用于高功率和高频应用,例如射频(RF)放大器、电源转换器以及工业控制设备中。MCC44-16I01 B 属于N沟道增强型MOSFET,其设计用于在高电压和高电流条件下提供优异的性能与可靠性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):160A
  导通电阻(Rds(on)):约2.5mΩ
  最大功率耗散(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-264

特性

MCC44-16I01 B 具备多项显著特性,使其在高性能功率电子系统中表现出色。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,提高了整体效率,非常适合高电流应用。其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供更高的跨导和更快的开关速度,从而优化了高频工作性能。此外,MCC44-16I01 B 的封装设计具有良好的热管理能力,能够有效地将热量传导出去,确保器件在高负载条件下依然保持稳定运行。
  在可靠性方面,MCC44-16I01 B 经过严格的测试和认证,适用于高温和恶劣环境下的长期运行。其宽广的工作温度范围允许在极端环境下使用,例如工业自动化、航空航天以及军事设备中。该器件的栅极驱动要求较低,兼容常见的驱动电路,进一步简化了电路设计和集成。此外,MCC44-16I01 B 还具备优异的抗雪崩能力和短路保护特性,增强了系统的稳健性。

应用

MCC44-16I01 B 被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常见于DC-DC转换器、同步整流器以及高效率电源模块中,用于提高转换效率并减少发热。在电机控制和驱动器系统中,该MOSFET用于H桥电路和电机驱动模块,提供高电流切换能力。此外,在射频(RF)放大器和通信设备中,MCC44-16I01 B 可用于构建高功率射频功率放大器,支持高频信号传输。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,MCC44-16I01 B 也扮演着重要角色。它能够在高电压和高电流条件下稳定运行,为能量转换和存储系统提供高效的功率控制解决方案。此外,该器件还可用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)系统以及测试和测量仪器中。

替代型号

IXFH160N60P, STP160N6F6

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