QM77048B 是一款由Qorvo公司生产的高性能射频(RF)开关芯片,广泛应用于无线通信系统、射频前端模块、5G基础设施以及工业和汽车电子等领域。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具备低插入损耗、高隔离度和优异的线性性能,适用于高频段操作。
类型:射频开关
频率范围:DC至40 GHz
插入损耗:典型值0.35 dB(在28 GHz)
隔离度:典型值35 dB(在28 GHz)
工作电压:3.3 V或5 V可选
控制电压:1.8 V至5 V兼容
封装类型:10引脚QFN
工作温度范围:-40°C至+105°C
P1dB压缩点:典型值35 dBm
IP3:典型值70 dBm
QM77048B 是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,具有卓越的射频性能和广泛的频率覆盖范围,适用于高频通信系统。其采用Qorvo的高性能GaAs pHEMT工艺制造,确保了在高达40 GHz的频率范围内仍能保持优异的电气性能。该器件的插入损耗非常低,在28 GHz频段下典型值为0.35 dB,这对于高频应用至关重要,有助于提升系统灵敏度和效率。隔离度方面,典型值为35 dB,确保在不同通道切换时干扰最小化。
该开关支持1.8 V至5 V的控制电压,具有良好的兼容性,适用于多种控制逻辑。工作电压可选3.3 V或5 V,便于集成到不同系统中。此外,该芯片具备较高的功率处理能力,P1dB压缩点高达35 dBm,IP3性能达到70 dBm,能够承受较高的输入功率而不发生非线性失真,适用于高可靠性应用场景。
封装方面,QM77048B采用10引脚QFN封装,尺寸小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热性能和机械稳定性。其工作温度范围为-40°C至+105°C,适应各种恶劣工作环境。
QM77048B 主要用于需要高性能射频切换的应用场合。在5G通信基础设施中,它可用于基站射频前端模块,实现天线与收发链路之间的快速切换。在工业和测试设备中,该芯片适用于构建高频信号路由系统,支持多路信号的高效管理。此外,该器件也适用于汽车雷达系统、毫米波通信、无线回传链路以及射频测试仪器等场景,确保高频信号的稳定传输和切换。
由于其宽频率覆盖范围和高可靠性,QM77048B还可用于航空航天和国防领域的射频系统,如相控阵雷达、电子战系统和高频通信设备中,满足高要求环境下的稳定运行。
HMC649ALC4B, PE4259, SKY13417-345LF, TQP3M9015