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QM77033TR13 发布时间 时间:2025/8/15 22:02:00 查看 阅读:23

QM77033TR13 是一款由Qorvo公司推出的射频(RF)开关芯片,属于其广泛使用的射频前端解决方案之一。该器件采用硅基单片集成电路(MMIC)技术制造,具备高性能和低插入损耗的特性,适用于多种无线通信应用。该封装形式为TQFN(薄型四方扁平封装),具有紧凑的外形,适合高密度电路设计。QM77033TR13 主要工作在DC至40GHz的频率范围内,适合用于多频段通信系统、无线基础设施、测试设备和工业控制系统等应用。

参数

制造商: Qorvo
  产品类型: 射频开关
  封装类型: TQFN
  工作频率范围: DC ~ 40GHz
  插入损耗(典型值): 0.5dB @ 10GHz
  隔离度(典型值): 30dB @ 10GHz
  工作电压: 3.3V 或 5V 可选
  控制接口: 数字控制(TTL/CMOS兼容)
  工作温度范围: -40°C ~ +105°C
  封装尺寸: 4mm x 4mm
  引脚数: 24

特性

QM77033TR13 是一款高性能的宽带射频开关,具备多项关键特性,使其在多种射频系统中表现出色。
  首先,该芯片支持从DC到40GHz的宽频带操作,使其适用于从低频到毫米波频段的多种无线通信应用。其插入损耗非常低,典型值仅为0.5dB在10GHz频率下,确保了信号传输的高效性,减少了系统的整体功率损耗。
  其次,该射频开关提供了良好的隔离性能,在10GHz下典型隔离度达到30dB,有效减少了不同信号路径之间的干扰,提升了系统的整体性能与稳定性。这一特性对于多路复用或切换应用尤为重要。
  此外,QM77033TR13 支持3.3V或5V的电源供电,具有广泛的电压兼容性,适合多种系统设计需求。其数字控制接口为TTL/CMOS兼容,便于与微控制器或其他数字电路连接,简化了系统集成过程。
  该芯片采用小型TQFN封装,尺寸仅为4mm x 4mm,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热性能和机械稳定性,适合工业级和通信级应用环境。
  最后,其工作温度范围为-40°C至+105°C,适用于各种严苛的工业和通信环境,确保了长期运行的可靠性。

应用

QM77033TR13 的广泛应用主要体现在射频前端模块、无线基站、测试与测量设备、毫米波通信系统、工业控制系统以及卫星通信等领域。其高频性能和低插入损耗特性使其成为5G通信系统中多频段切换、天线调谐和信号路由的理想选择。同时,该器件也适用于雷达系统、微波回传设备和射频测试仪器,能够在复杂的电磁环境中保持稳定可靠的性能。此外,在需要多路射频信号切换和管理的自动化测试平台中,该芯片也发挥着重要作用。

替代型号

HMC649A, ADG904, PE4259

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