类型：PIN二极管
　　封装形式：SOD-323
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：75 V
　　结电容（Cj）：典型值0.4 pF @ 5V
　　串联电阻（Rs）：典型值0.8 Ω
　　热时间常数：典型值200 μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　峰值射频功率处理能力：可达30 W（取决于驱动条件）
　　封装尺寸：约2.7 mm × 1.6 mm × 1.1 mm

QM75DY1-H的核心特性之一是其卓越的射频开关性能。该PIN二极管在高频段（通常从几十MHz到超过6 GHz）展现出极低的插入损耗和高隔离度，这得益于其优化的半导体结构和低串联电阻（Rs）设计。在正向偏置状态下，载流子注入效率高，使得导通状态下的射频阻抗极低，从而最大限度地减少信号衰减。而在反向偏置或零偏置条件下，耗尽区宽广且稳定，形成高效的电容性阻断层，有效抑制高频信号通过，实现良好的隔离效果。
　　另一个关键特性是其出色的功率处理能力。QM75DY1-H能够在脉冲或连续波（CW）条件下承受较高的射频功率，适用于高动态范围的收发开关（T/R Switch）和限幅保护电路。其热时间常数经过优化，能够快速响应功率瞬变，防止因过热导致的性能下降或永久损坏。同时，该器件具有良好的非线性特性，在大信号环境下仍能保持稳定的阻抗行为，避免产生过多的互调失真，这对多载波通信系统尤为重要。
　　可靠性方面，QM75DY1-H采用高纯度材料和先进封装工艺，具备优异的抗湿性和机械强度。其SOD-323封装不仅体积小巧，便于自动化贴装，还具有良好的散热性能，有助于延长器件寿命。该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101等车规级可靠性认证，适用于汽车电子、航空航天和军事通信等高端应用场景。此外，其电气参数在整个工作温度范围内保持高度一致性，确保系统在极端环境下的稳定运行。

QM75DY1-H广泛应用于各类高性能射频系统中，尤其是在需要快速切换和高功率保护的场景下表现突出。典型应用包括无线通信基础设施中的基站射频前端模块，用于实现天线开关、双工器控制和信号路由功能。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中，该器件可用于多频段天线调谐和射频路径选择，以支持5G NR和Wi-Fi 6E等新一代无线标准。
　　在雷达和电子战系统中，QM75DY1-H被用作限幅器的关键组件，能够在强干扰信号或电磁脉冲来袭时迅速导通，将多余能量泄放到地，从而保护后端敏感的低噪声放大器（LNA）免受损坏。其快速响应能力和高功率耐受性使其成为军用和民用雷达接收机前端的理想选择。
　　此外，该器件也适用于测试与测量仪器，例如矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪中的内部开关矩阵，提供精确的信号路径控制。在卫星通信终端和车载毫米波雷达系统中，QM75DY1-H凭借其小型化封装和稳定电气性能，满足了高密度布局和恶劣工作环境的双重需求。工业物联网（IIoT）和远程监控系统中的无线收发模块也可采用该器件来提升链路可靠性和抗干扰能力。

MA4P7591-1071T
　　BAR50-02W
　　HSMS-2852
　　DMK1205