型号：QM75DU-12H
　　制造商：Qorvo
　　工作频率范围：1.7 GHz ~ 2.2 GHz
　　增益：约22 dB
　　噪声系数：典型值0.65 dB
　　输入三阶截点（IIP3）：典型值+20 dBm
　　输出1 dB压缩点（P1dB）：典型值+10 dBm
　　工作电压：5 V
　　静态电流：可调，典型值为55 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：陶瓷表面贴装
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　ESD耐受能力：HBM > 2 kV

QM75DU-12H的核心优势在于其卓越的低噪声性能与高增益特性的完美结合，使其成为现代无线通信接收前端的理想选择。该器件在1.7 GHz至2.2 GHz频段内实现了低于0.65 dB的典型噪声系数，确保微弱信号能够被有效放大而不引入过多额外噪声，从而显著提升系统的接收灵敏度。同时，其标称增益高达22 dB，并在整个工作频带内保持高度平坦，有利于后续混频或模数转换阶段的信号处理。该LNA采用了GaAs pHEMT工艺，不仅保证了高频性能，还提供了出色的功率效率和热稳定性。器件内部集成了输入和输出匹配网络，大幅减少了外围元件数量，降低了PCB布局复杂性和设计周期。此外，其内置有源偏置电路支持通过外部电阻灵活调整偏置电流，使用户可根据具体应用场景在噪声性能、增益和功耗之间进行权衡优化。
　　另一个关键特性是其优异的线性表现。QM75DU-12H的输入三阶截点（IIP3）达到+20 dBm以上，意味着其在存在强干扰信号时仍能保持良好的信号保真度，有效避免互调失真对接收质量的影响。这对于多载波系统或高密度频谱环境中尤为重要。输出1 dB压缩点（P1dB）约为+10 dBm，表明其具备较强的信号处理能力，适用于动态范围要求较高的应用。该器件采用5 V单电源供电，兼容大多数射频系统电源架构，且无需负压生成电路，进一步简化了电源设计。陶瓷封装不仅提供了良好的射频隔离和散热性能，还能在高温、高湿及振动等恶劣环境下保持长期可靠性，满足电信级设备对稳定性的严格要求。集成的ESD保护机制提升了器件在生产和使用过程中的耐用性，符合IEC 61000-4-2 Level 2标准。

QM75DU-12H广泛应用于各类高性能无线通信基础设施中，尤其适用于需要高灵敏度和强抗干扰能力的接收前端设计。其主要应用场景包括宏蜂窝和微蜂窝基站的射频接收模块，在这些系统中负责将来自天线的微弱射频信号进行初步放大，同时尽可能减少噪声引入，以保障整体链路预算。在分布式天线系统（DAS）中，该LNA用于延伸覆盖范围并提升室内信号质量，特别是在商场、地铁、机场等人流密集区域发挥重要作用。此外，QM75DU-12H也适用于公共安全通信系统，如TETRA、P25等数字集群网络，确保关键任务通信的清晰与可靠。
　　在小基站（Small Cell）和企业级接入点中，QM75DU-12H因其小型化封装和低功耗特性而受到青睐，有助于实现紧凑型设备设计。该器件还可用于点对点和点对多点微波回传链路的接收端，提升长距离传输下的信噪比。在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪或信号发生器的前端模块中，QM75DU-12H可用于增强仪器的检测灵敏度。此外，它也可应用于卫星通信地面站、雷达辅助系统和物联网网关等需要高性能LNA的场合。得益于其宽温工作能力和高可靠性，该器件同样适合部署于户外单元（ODU）或远程射频单元（RRU）中，适应各种气候条件下的长期运行需求。

RPM7512-D16