类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID@TC=25°C）：88A
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：最大13.5mΩ
　　栅极电荷（QG）：典型值195nC
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

IXFH88N20P具备低导通电阻，能够在高电流条件下显著降低功率损耗，从而提高整体效率。其采用的沟槽技术优化了导通和开关性能之间的平衡，确保在高频开关应用中保持较低的开关损耗。
　　该器件支持±20V的栅源电压，提高了栅极控制的灵活性，并减少了栅极驱动电路的设计难度。此外，其高达88A的连续漏极电流能力，使其适用于大功率负载的应用场景。
　　IXFH88N20P的TO-263（D2PAK）封装不仅支持表面贴装工艺，提高了PCB组装的自动化程度，而且通过优化的散热设计，可以有效地将热量传导至PCB，提高器件的热稳定性。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩击穿耐受能力，提高了器件在瞬态过压条件下的可靠性，减少了因电压尖峰导致的失效风险。同时，该器件符合RoHS标准，支持环保应用。

IXFH88N20P广泛应用于电源管理领域，如高效率DC/DC转换器、同步整流器和电池管理系统。在电机控制中，该器件可作为功率开关使用，支持高效电机驱动电路设计。
　　此外，IXFH88N20P还适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，能够有效支持可再生能源系统的高效运行。
　　在工业自动化系统中，该MOSFET可用于高电流负载控制，如加热元件、LED照明驱动以及大功率风扇控制等应用。其高可靠性和优异的热性能也使其成为电动汽车和充电设备中的理想选择。

IXFH88N20T2, IXFH88N20PBF, IXFH88N20TRPBF