时间：2025/8/15 8:57:30
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QM52015E2.0TR7X是一款由Qorvo公司制造的射频功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件专门设计用于高功率射频应用，如无线基站、广播设备和工业加热系统。QM52015E2.0TR7X采用先进的硅技术，提供高效率和高可靠性，非常适合在严苛环境下运行。该晶体管采用表面贴装封装，便于集成到现代射频系统中。
类型：射频MOSFET
最大工作频率：2.0 GHz
最大漏极电流：15 A
最大漏源电压：65 V
最大栅源电压：±20 V
工作温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：表面贴装
增益：20 dB
输出功率：150 W
输入阻抗：50 Ω
输出阻抗：50 Ω
QM52015E2.0TR7X具备多项卓越特性。首先，其工作频率可达2.0 GHz，适用于高频射频应用。其次，该晶体管能够在65V的漏源电压下工作，支持高功率输出。最大漏极电流为15A，确保在高负载条件下稳定运行。此外，其增益为20dB，能够提供良好的信号放大能力。该器件的输入和输出阻抗均为50Ω，便于匹配射频系统中的其他组件。QM52015E2.0TR7X的封装设计优化了散热性能，确保在高功率运行时保持较低的工作温度，从而延长器件寿命。同时，其宽工作温度范围（-65°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境。最后，该晶体管具有良好的线性度和低失真特性，适用于需要高信号保真的应用，如基站和广播系统。
QM52015E2.0TR7X广泛应用于射频功率放大器中，特别是在无线通信基础设施中，如4G/5G基站和广播发射机。它也用于工业和科学设备，如射频加热系统和测试测量仪器。由于其高可靠性和高效率，该晶体管在需要高功率输出和稳定性能的场合中表现出色。此外，QM52015E2.0TR7X也可用于军事和航空航天领域的射频系统，提供稳定的功率放大解决方案。
QM52015E2.0TR7
