型号：QM50HG-H
　　制造商：MagnaChip
　　类型：高压半桥栅极驱动器
　　供电电压（VDD）：10V ~ 25V
　　逻辑输入电压兼容：3.3V / 5V TTL & CMOS 兼容
　　输出驱动电流（峰值）：±0.5A（典型值）
　　高端侧浮动电压（VS）：-5V 至 +600V
　　自举二极管集成：无（需外接）
　　开关频率支持：最高可达100kHz以上
　　传播延迟时间：约200ns（典型）
　　死区时间：内置防直通逻辑
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-8 或 HVSSOP-8

QM50HG-H的核心特性之一是其高压半桥驱动能力，能够在高达600V的高压环境中实现对上桥臂和下桥臂功率管的有效控制。该芯片采用电平移位技术，使得高边驱动信号可以跟随开关节点动态调整，从而确保在不同母线电压条件下仍能稳定开启N沟道MOSFET。这一机制显著提高了系统的效率与可靠性，并降低了对专用隔离电源的需求。此外，其输入接口支持标准TTL/CMOS电平，可直接与微控制器、DSP或PWM控制器连接，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。
　　另一个重要特性是其内置的多重保护机制。QM50HG-H具备完善的欠压锁定（UVLO）功能，当VDD电压低于启动阈值时，输出将被强制关闭，防止因电源不稳定导致的误操作或功率器件损坏。同时，芯片内部集成了精确的迟滞比较器，确保在电源波动时不会频繁重启。热关断功能可在芯片温度超过安全限值时自动关闭输出，待温度恢复后重新启用，提升了长期运行的安全性。
　　该器件还优化了传播延迟匹配性和通道间一致性，保证上下桥臂驱动信号的同步精度，减少开关失配带来的功率损耗和电磁干扰。其紧凑的SOP-8封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化生产装配。此外，QM50HG-H具有出色的抗dV/dt噪声能力，在高频开关过程中能有效抑制虚假触发，提升系统鲁棒性。这些综合特性使其成为工业电机驱动、开关电源、太阳能逆变器和电动工具等领域中理想的栅极驱动解决方案。

QM50HG-H主要应用于各类需要高压半桥驱动的电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于三相或单相电机驱动器中，作为IGBT或MOSFET的驱动核心，配合PWM控制器实现精确的速度与转矩控制。在开关电源系统中，特别是在LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中，QM50HG-H可用于驱动主功率开关，提高整体能效并增强系统稳定性。此外，在新能源设备如光伏逆变器和储能系统中，该芯片也发挥着重要作用，负责直流到交流转换过程中的功率开关驱动任务。
　　在消费类高端产品中，例如大功率LED驱动电源、电动自行车控制器和家用变频空调模块，QM50HG-H因其高集成度和高可靠性而被广泛采用。其支持高频工作的能力有助于减小磁性元件体积，从而实现设备小型化。同时，在电动汽车车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块中，虽然面临更高要求的隔离需求，但在辅助电源或非隔离子系统中，QM50HG-H仍具备一定的应用潜力。
　　由于其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，QM50HG-H也适用于存在强电磁干扰的工业环境，例如焊接设备、感应加热装置和不间断电源（UPS）系统。总之，凡是涉及中高功率、高频开关、半桥结构的应用场景，QM50HG-H都能提供稳定、高效的驱动支持，满足多样化的设计需求。

MPQ27580-AEC1-Z, HIP2101, IR2104, UCC27531, L6387E