QM50HB-H 时间：2025/9/29 12:58:46 阅读：29

QM50HB-H是一款由Qorvo公司生产的高性能、高可靠性硅PIN限幅二极管，专为在高频和微波应用中提供卓越的信号保护能力而设计。该器件广泛应用于雷达系统、通信设备、测试仪器以及其他需要在高功率射频环境下保护敏感接收机前端的应用场景。QM50HB-H采用先进的半导体制造工艺，具备快速响应时间、低插入损耗和高功率处理能力，能够在极端工作条件下稳定运行。其结构基于PIN（P型-本征-N型）二极管技术，利用本征层在高功率信号下自动导通并分流过量能量，从而有效防止后级电路受到损坏。该器件通常被集成在射频前端模块中，作为一级或二级限幅保护元件，确保系统在遭遇突发高功率信号（如发射泄漏或外部强干扰）时仍能保持正常工作。封装方面，QM50HB-H采用符合行业标准的陶瓷封装形式，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在严苛环境（如高温、高湿、振动等）下长期使用。此外，该器件还具备出色的互调性能，有助于维持系统的线性度和动态范围，避免非线性失真对通信质量造成影响。

参数

制造商：Qorvo
　　产品系列：PIN Limiting Diode
　　二极管类型：PIN 限幅二极管
　　工作频率范围：DC 至 18 GHz
　　最大输入功率（连续波）：+30 dBm（典型值）
　　响应时间：≤ 1 ns
　　正向电流（最大值）：100 mA
　　反向击穿电压：≥ 90 V
　　插入损耗：≤ 0.5 dB @ 10 GHz
　　限幅电平：+15 dBm @ 1 GHz
　　结温范围：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：陶瓷密封封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

QM50HB-H的核心特性之一是其优异的高频性能与宽频带适应能力，可在DC至18 GHz的宽频率范围内稳定工作，使其适用于从L波段到Ku波段的多种射频和微波系统。在高频信号传输过程中，该器件表现出极低的插入损耗（典型值低于0.5 dB @ 10 GHz），这意味着在正常信号水平下，它对系统整体增益和噪声系数的影响极小，能够有效保持接收链路的灵敏度。同时，其快速响应时间（≤1纳秒）确保了在遇到突发高功率脉冲时能够迅速启动限幅功能，及时将过压能量泄放到地，防止后级低噪声放大器（LNA）或其他敏感元件受损。
　　另一个关键特性是其高功率耐受能力。QM50HB-H能够在短时间内承受高达+30 dBm的连续波输入功率，并且在脉冲条件下可应对更高的峰值功率。这得益于其优化的PIN结构设计和高质量的陶瓷封装带来的良好散热性能。器件的正向导通电流额定值为100 mA，反向击穿电压超过90 V，展现出强大的电气鲁棒性。这种高耐压特性不仅提升了器件在高压瞬态事件中的生存能力，也增强了整个射频前端的可靠性。
　　此外，QM50HB-H具备出色的互调抑制性能，在多载波或宽带信号环境中能有效减少三阶互调产物的生成，避免因非线性效应引起的信号干扰。这对于现代通信系统尤为重要，尤其是在高密度频谱使用场景中，良好的线性表现有助于提升系统整体动态范围和抗干扰能力。该器件还具有宽泛的工作温度范围（-65°C 至 +175°C），适用于军用、航空航天及工业级应用，能够在极端高低温环境下保持稳定的电气特性。最后，其表面贴装陶瓷封装不仅便于自动化生产装配，还提供了优异的气密性和长期可靠性，适合用于高要求的户外或恶劣环境部署。

应用

QM50HB-H主要用于各类高可靠性射频系统中的接收机保护电路，典型应用场景包括军用雷达系统、电子战设备、卫星通信终端、高性能无线基站以及精密测试测量仪器。在雷达系统中，由于发射机与接收机共用天线，发射期间的高功率信号可能通过耦合路径进入接收通道，QM50HB-H可作为前端限幅器，在发射脉冲出现时立即导通，将大部分能量旁路到地，从而保护后续的低噪声放大器不被烧毁。在卫星通信和微波中继系统中，该器件可用于防止远端强信号或人为干扰对接收模块造成损害，保障链路稳定性。
　　在电子战和信号侦测系统中，接收机常常面临未知强度和频率的信号输入，QM50HB-H的宽频带特性和快速响应能力使其成为理想的前端防护元件，能够在复杂电磁环境中实现自动限幅，避免前端电路饱和或损坏。此外，在自动化测试设备（ATE）和矢量网络分析仪等高端测试仪器中，为了保护内部精密接收器免受误操作或异常信号冲击，常采用此类高性能限幅二极管进行输入级保护。该器件也可用于民用航空通信系统、应急通信设备以及5G毫米波原型系统中，尤其适合那些对系统可用性和安全性要求极高的场合。凭借其高可靠性和长期稳定性，QM50HB-H已成为许多关键任务系统中不可或缺的保护组件。