类型：PIN二极管
　　配置：单个，双向
　　最大峰值反向电压：150V
　　最大正向电流：3A
　　串联电阻（Rs）：0.65Ω
　　零偏置结电容（Cj）：0.4pF
　　热时间常数：约300ns
　　封装类型：陶瓷SMD
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

QM200HH-H的核心优势在于其卓越的高频限幅性能和强大的功率处理能力。该器件基于PIN结构设计，P型和N型区域之间夹有本征层（I层），这一结构使其在高频下表现出优异的线性特性和快速响应能力。当接收到高功率射频信号时，内部载流子迅速积累，导致二极管导通并将多余能量旁路，实现自动限幅功能。这种自适应保护机制无需外部控制电路即可完成，极大简化了系统设计复杂度。
　　该器件具有非常低的零偏置结电容（典型值为0.4pF），这使其在GHz级别的高频应用中仍能保持良好的信号完整性，减少插入损耗并避免对系统带宽造成不利影响。同时，其串联电阻仅为0.65Ω，在导通状态下能够有效降低功耗和温升，提高整体能效。此外，低正向电压特性也意味着在触发限幅动作时所需的阈值功率较低，增强了对弱信号环境下突发高功率脉冲的敏感性与反应速度。
　　热管理方面，QM200HH-H具备良好的热传导性能和较高的结温承受能力（最高可达150°C），可在长时间高负荷运行中保持稳定工作状态。其热时间常数约为300纳秒，保证了在瞬态高功率事件（如雷达发射脉冲泄漏）发生时能够快速响应并在短时间内恢复至初始状态，避免持续导通造成的信号中断问题。
　　该器件采用陶瓷表面贴装封装，不仅提供了优异的机械强度和气密性，还有助于改善高频下的寄生效应，提升射频性能一致性。整个结构经过优化设计，最大限度减少了引线电感和分布参数的影响，确保在宽频带范围内实现平坦的频率响应特性。

QM200HH-H广泛应用于各类高性能射频和微波系统中，尤其是在需要对前端接收机进行强信号保护的场景中表现突出。典型应用包括军用和民用雷达系统，其中在收发开关模块中作为保护元件使用，防止发射期间的大功率信号串入低噪声放大器或混频器而导致损坏。此外，在电子战系统、通信对抗设备以及高灵敏度无线电接收装置中，该器件也被用来构建多级限幅网络，以应对复杂电磁环境中可能出现的高强度干扰信号。
　　在测试测量仪器领域，QM200HH-H可用于保护频谱分析仪、矢量网络分析仪等精密设备的输入端口，防止因误操作或外部异常信号输入造成昂贵核心部件的损毁。其高可靠性与长寿命特点也使其成为航空航天、卫星通信及地面站设备中的理想选择，尤其适合部署在维护困难或不可接近的远程站点。
　　此外，该器件还可用于基站天线前端、毫米波通信系统以及高速宽带无线接入设备中，作为第一道防线抵御雷击感应、静电放电或其他意外高能事件带来的冲击。由于其双向对称结构，无论信号极性如何变化都能提供均衡的保护效果，进一步扩展了其适用范围。

UMD2005, HSMP-3814, SMPD-2.2