QM156023SR 时间：2025/8/15 16:47:21 阅读：20

QM156023SR是一款由Qorvo公司设计制造的射频功率晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频条件下提供高效率和高性能。QM156023SR通常用于无线基础设施设备，如基站放大器、广播设备和工业射频系统。这款晶体管具有优异的热稳定性和可靠性，适用于需要高输出功率和高线性度的应用场景。

参数

类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率：2.3 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：600 W（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　增益：23 dB（典型值）
　　效率：超过60%
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

特性

QM156023SR采用先进的LDMOS技术，使其在高频下能够保持高效率和高输出功率。该器件的增益典型值为23 dB，在2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围内表现优异，适用于多种射频应用。其漏极电压为28 V，支持高功率输出，最大输出功率可达600 W。此外，该晶体管具有良好的线性度和热稳定性，确保在高功率操作下的可靠性和寿命。输入驻波比（VSWR）为2.5:1，表明其在宽频带范围内具有良好的匹配性能。QM156023SR还具备优异的抗失真能力，适用于要求高信号保真度的应用。该器件的封装设计优化了热管理，使其能够在高功率密度下保持稳定的工作温度，从而延长使用寿命。
　　QM156023SR的另一个显著特点是其宽工作温度范围，从-40°C到+150°C，确保在各种环境条件下都能正常工作。这种特性使其非常适合用于户外和恶劣环境中的射频设备。同时，该晶体管的高效率设计减少了对散热系统的要求，降低了整体系统的功耗和成本。

应用

QM156023SR广泛应用于无线通信基础设施，如4G和5G基站、广播发射机和工业射频设备。由于其高输出功率和高效率特性，该晶体管非常适合用于需要高功率放大的场合，如蜂窝网络基站的功率放大器模块。此外，QM156023SR还可用于测试设备、雷达系统和广播发射机等高功率射频应用。在这些应用中，该晶体管可以提供稳定的高功率输出，同时保持较低的功耗和较高的可靠性。由于其优异的线性度和抗失真能力，QM156023SR也适用于需要高质量信号传输的应用，如数字广播和数据通信系统。