类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id): 14A
　　最大漏源电压 (Vds): 30V
　　最大栅源电压 (Vgs): ±20V
　　导通电阻 (Rds(on)): 0.010Ω
　　功率耗散 (Pd): 2.5W
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装类型: TSSOP
　　引脚数: 8
　　技术: TrenchFET

QM13141TR13-10KHW 的主要特点之一是其极低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。这种低 Rds(on) 特性对于需要高电流能力的应用非常重要，例如电池供电设备、便携式电子设备以及服务器电源系统。
　　此外，该器件采用了 Vishay 的 TrenchFET 技术，这项技术通过优化的沟槽结构提高了载流能力和热性能，使得 QM13141TR13-10KHW 能够在高频率下稳定运行。高频率操作对于现代电源转换器来说至关重要，因为它可以减小外部组件（如电感器和电容器）的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　另一个显著特点是其高电流能力和良好的热稳定性。该 MOSFET 能够处理高达 14A 的连续漏极电流，并且在高温环境下依然保持良好的性能。这使得 QM13141TR13-10KHW 成为需要高可靠性和长寿命的工业和汽车应用的理想选择。
　　该器件的封装形式为 TSSOP，这是一种表面贴装封装，能够提供良好的电气性能和热管理能力。TSSOP 封装还支持自动化的 PCB 组装流程，降低了生产成本并提高了生产效率。
　　此外，QM13141TR13-10KHW 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 到 20V 之间，这使得它能够兼容多种驱动电路设计，包括使用标准逻辑电平的控制器。这种灵活性使其在多种应用中都能轻松集成，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和马达控制电路。

QM13141TR13-10KHW 主要应用于需要高效能、高频率操作的电力电子系统。它常用于 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器，能够有效提高转换效率并减小整体电路尺寸。此外，该器件也广泛应用于电池管理系统（BMS）、负载开关、马达驱动器以及电源分配系统中。
　　在便携式电子设备中，QM13141TR13-10KHW 可用于电源管理模块，帮助延长电池寿命并提高系统的整体能效。由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于需要高功率密度的设计，例如服务器电源、电信设备和工业自动化系统。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路以及各种车载电源管理系统。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，满足汽车和工业应用对可靠性的高要求。

Si4410BDY-T1-E3, IRF7413TRPBF, FDS4410A, TPS2R200-Q1