QM13126TR13 是一款由Qorvo公司生产的射频功率晶体管(RF Power Transistor),主要用于射频放大器应用。这款晶体管采用先进的硅基双极型技术制造,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频能量应用,例如射频加热、等离子体生成和射频激励系统。
类型:双极型射频功率晶体管
工作频率:最高可达500 MHz
最大输出功率:125W
工作电压:28V
输入阻抗:50Ω
增益:约14dB
封装形式:TO-247
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
QM13126TR13 的核心优势在于其高输出功率能力和宽频率适用范围,使得它非常适合在高功率射频系统中使用。该晶体管在设计上优化了热管理性能,能够在高功率水平下保持稳定工作并减少热损耗。
此外,QM13126TR13 提供了良好的线性度和高增益特性,使其在射频放大器中能够提供高质量的信号放大效果。其坚固的封装设计和宽工作温度范围也确保了在各种工业环境下的可靠性和耐用性。
为了提高系统设计的灵活性,QM13126TR13 支持多种匹配电路设计,可以适应不同频率和负载条件的应用需求。这种灵活性使其成为许多射频功率系统设计的理想选择。
QM13126TR13 主要应用于射频功率放大器,例如在工业射频加热设备、等离子体发生器、射频激励系统和医疗射频治疗设备中使用。此外,它也可以用于广播发射机、测试设备和其他需要高功率射频输出的电子系统。
BLF177、CMRD8000、RD16HHF1