QM13112TR13-5KHW是一款由Qorvo公司生产的高性能射频(RF)开关芯片。该芯片属于Qorvo的FEM(前端模块)产品系列,专为无线通信系统设计。该型号特别适用于Wi-Fi 6E、5G、毫米波通信以及其他高性能射频应用。QM13112TR13-5KHW集成了多个射频开关和低噪声放大器(LNA),提供高隔离度、低插入损耗和优异的线性度,适用于高频率范围(如5GHz至7GHz)的信号路由和切换。
工作频率:5.0 GHz - 7.0 GHz
插入损耗:典型值0.4 dB
隔离度:典型值25 dB
输入IP3:+65 dBm
电源电压:2.5V - 3.6V
控制电压:1.8V - 3.3V
封装类型:WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)
工作温度范围:-40°C 至 +105°C
RF端口:支持多路输入/输出
功耗:低功耗设计,典型值<10 mA
QM13112TR13-5KHW具有多项先进的射频性能特性。其低插入损耗确保信号在传输过程中衰减最小,从而提升整体系统效率。高隔离度特性使得多个射频路径之间的干扰降到最低,提高了系统的稳定性和信号清晰度。该芯片的高输入IP3(三阶截点)特性使其在高功率环境下依然能保持良好的线性度,适用于多用户多输入多输出(MU-MIMO)和波束成形技术。芯片内置的低噪声放大器增强了接收信号的灵敏度,有助于提高接收机的性能。此外,该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性。其宽工作温度范围使得它适用于各种严苛的环境条件,包括工业级和汽车级应用。封装采用WLCSP技术,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。
该芯片广泛应用于无线基础设施设备,如5G基站、Wi-Fi 6E路由器、毫米波通信设备、射频前端模块(FEM)和智能天线系统。此外,它也适用于测试和测量设备、无线接入点、物联网(IoT)网关以及高性能移动终端设备。由于其优异的射频性能,该芯片在需要高频率信号切换和低损耗传输的场景中表现出色。
QM13112TR13-5KHW的替代型号包括Skyworks的SKY13112-396LF和STMicroelectronics的STSWLNA1。这些型号在性能和封装方面与QM13112TR13-5KHW相似,可用于类似的射频应用。