类型：NPN 硅双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：1.5 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：35 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：3 V
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大功耗（Tc=25°C）：20 W
　　频率范围：DC 至 1 GHz
　　增益（|S21|^2）：>16 dB（典型值）
　　输出功率（Pout）：10 W（在1 GHz时）
　　封装类型：TO-220AB

QM13011SR 在射频功率放大领域具有多项显著特性。首先，其高功率处理能力使其能够在1 GHz工作频率下提供高达10 W的输出功率，适用于需要高线性度的通信系统。其次，该晶体管具有优异的热稳定性，能够承受较宽的工作温度范围（-65°C 至 +150°C），适用于严苛的工业和军事环境。
　　此外，该器件的增益表现优异，在1 GHz频率下典型增益超过16 dB，能够有效减少前级放大器的设计复杂度。同时，其20 W的最大功耗设计确保了在高功率操作时的可靠性，延长了器件的使用寿命。
　　QM13011SR 还具备良好的匹配特性，便于与50Ω系统集成，从而简化了射频电路的设计流程。其TO-220AB封装形式不仅便于散热，也方便在各种PCB设计中使用，增强了其应用的灵活性。

QM13011SR 主要应用于射频功率放大器的设计，尤其适用于无线通信系统中的基站、中继器和测试设备等场景。其高频工作能力使其在1 GHz以下的无线局域网（WLAN）、蜂窝网络、广播设备以及测试测量仪器中表现出色。
　　此外，该晶体管也可用于工业自动化控制系统中的射频能量传输和传感器信号放大，提供稳定可靠的功率支持。在国防和航空航天领域，QM13011SR 也被广泛用于雷达、导航系统和电子战设备中的射频前端模块。
　　由于其良好的线性度和稳定性，该器件在需要高保真信号放大的应用中也具有优势，例如医疗射频设备和射频识别（RFID）系统。

QM13011SRE, 2N5179, MRF151G, BLF177