时间：2025/8/15 16:56:27
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EA4529YH-T1011 是一款由 Everspin Technologies 生产的非易失性存储器（NVRAM）芯片，结合了 SRAM 的高速性能与非易失性存储技术（通常使用 nvSRAM 技术）。它在断电情况下可以自动保存数据，适用于需要高速访问和数据保留的应用场景。
容量：4Mbit（512K x 8）
电源电压：2.7V - 3.6V
访问时间：55ns 最大
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
接口类型：并行异步接口
数据保存时间：超过 20 年（无电源）
EA4529YH-T1011 采用 Everspin 的 nvSRAM 技术，结合了 SRAM 的高速读写性能和非易失性存储能力，能够在断电情况下自动将 SRAM 数据保存到非易失存储单元中。该芯片支持高速异步读写操作，具有低功耗特性，并可在较宽的温度范围内稳定工作。其内部集成了自动存储（AutoStore）和恢复（HPR）电路，确保在电源故障时数据的安全性和完整性。
此外，该芯片具有高可靠性，支持无限次写入操作，不会像闪存那样存在擦写次数限制。这使得 EA4529YH-T1011 特别适合用于需要频繁写入和数据持久性的应用场景。
EA4529YH-T1011 主要用于工业控制系统、数据采集设备、通信基础设施、医疗设备、POS 终端、自动化设备和高可靠性嵌入式系统等需要高速非易失性存储的场景。
MR45H40AMNBAE-55, EA4518YI-T1011, MR45H40AFMNBAE-55
