类型：N沟道双JFET
　　漏极电流（ID）：10mA（最大）
　　栅极-源极电压（VGS）：-25V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：25V
　　跨导（gm）：2500μS（最小）
　　输入电容（Ciss）：5pF（典型）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：14引脚TSSOP
　　匹配性：漏极电流匹配误差小于5%

QM11102ATR13-10K具有出色的电气性能和高度的集成度。其核心特性之一是两个JFET之间的高度匹配，确保在差分放大器或平衡电路中实现优异的共模抑制比（CMRR）。该器件的低输入偏置电流和高输入阻抗使其非常适合用于高精度模拟电路中的前置放大器级。此外，该器件具有低噪声特性，适用于音频放大器和其他低噪声信号处理应用。
　　在热稳定性方面，QM11102ATR13-10K表现出色。由于其内部结构的优化设计，温度漂移极小，确保在宽温度范围内保持稳定的电气性能。这使得该器件能够在工业级和汽车级环境中可靠运行。
　　封装方面，该器件采用14引脚TSSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力，适用于高密度PCB布局和自动化装配工艺。

QM11102ATR13-10K广泛应用于需要高精度和低噪声的模拟电路中。常见的应用包括音频前置放大器、电压控制衰减器、模拟开关、混音器电路、低噪声增益控制电路以及精密测量设备中的信号调理部分。此外，它也可用于构建高性能的差分放大器、电流镜像电路以及作为低噪声电压跟随器使用。
　　在音频设备中，该器件用于前置放大器和音调控制电路，以确保高保真音频信号的处理。在测试与测量仪器中，QM11102ATR13-10K可用于构建高精度传感器接口电路，如电流检测和电压测量模块。在工业控制系统中，该器件可用于构建高稳定性的电压控制振荡器（VCO）和滤波器电路。

J202, 2N5457, BF245C, LS11102ATR13-10K