类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：10V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：1A
　　峰值脉冲电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 10V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 1ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-523
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　热阻（RθJA）：约 300°C/W
　　极性标识：阴极端有明显标记
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（<30°C/85%RH，无限时间）

QM10TE-H的核心特性之一是其低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为450mV，显著低于传统PN结二极管的700mV以上水平。这一特性使得器件在大电流工作状态下仍能保持较低的功耗和发热，从而提升电源系统的整体效率，尤其适合用于电池供电设备中以延长续航时间。同时，由于采用了先进的肖特基势垒结构，该器件不存在少子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间小于1纳秒，几乎可以忽略不计。这种超快速响应能力使其在高频开关电路中表现出色，可有效减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）问题。
　　另一个关键特性是其高浪涌电流耐受能力，达到30A峰值脉冲电流，能够在瞬间过载或启动冲击电流情况下保持可靠运行而不发生损坏。这对于存在突发负载变化的应用如DC-DC转换器输出端续流二极管尤为重要。此外，QM10TE-H具备良好的热稳定性和散热设计，尽管采用微型SOD-523封装，但通过优化芯片布局与焊盘设计，可在PCB上实现有效的热传导，确保长期高温环境下的可靠性。器件还具备优异的反向漏电流控制，在室温下最大仅为10μA，即使在高温条件下也能维持相对较低的漏电水平，避免不必要的静态功耗增加。
　　从制造工艺角度看，QM10TE-H采用成熟的大规模半导体工艺生产，保证了产品的一致性与高良率。其SOD-523封装尺寸仅为1.6mm x 1.2mm x 0.95mm，极大节省了PCB空间，适用于高度集成化的消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，该器件通过AEC-Q101车规级可靠性测试的可能性较高（需查证具体型号后缀），因此也可应用于汽车电子中的低压电源管理模块。整体而言，QM10TE-H凭借其低VF、高速度、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源系统中理想的整流与续流解决方案。

QM10TE-H广泛应用于各类需要高效、小型化整流功能的电子系统中。其典型应用场景包括便携式消费电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，作为续流二极管或箝位二极管使用，利用其低正向压降减少能量损失，提高转换效率。在锂电池供电设备如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等产品中，该器件常用于电源路径管理电路，防止反向电流倒灌，保护电池安全。
　　在AC-DC适配器和平板电源模块中，QM10TE-H可用于次级侧整流环节，尤其是在低输出电压（如5V以下）场合，其低VF优势更加明显，有助于提升轻载和满载条件下的整体能效表现。此外，该器件也适用于USB供电接口的防反接和过压保护电路，保障下游IC不受异常电压影响。
　　工业控制领域中，QM10TE-H可用于传感器信号调理电路中的整流与钳位，防止瞬态高压损坏敏感元件。在LED照明驱动电源中，它可作为辅助绕组整流管使用，提供偏置电压。通信设备中的隔离电源模块同样依赖此类高性能肖特基二极管来实现高效的能量传递和稳定的电压输出。由于其快速响应特性，还可用于高频逆变器和开关模式电源（SMPS）中的同步整流替代方案，虽然不能完全取代MOSFET，但在成本敏感型设计中仍具竞争力。
　　汽车电子方面，尽管QM10TE-H本身未明确标注为车规级，但其电气特性与封装可靠性使其可应用于非主控类车载模块，例如车载信息娱乐系统的电源管理单元、车内照明控制电路或后排USB充电口的保护电路。只要工作温度在其额定范围内，并配合合理的PCB布局与散热设计，即可实现长期稳定运行。

MBRS110LT3G
　　MCH760-AU
　　BAT54C-WT
　　PMG280XN