TOS 16-12SM 是一款由 TOSOH(东ソー)公司生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路等多种电子设备。TOS 16-12SM 通常采用表面贴装封装(SM封装),以适应现代电子产品对高密度和高可靠性的需求。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):16A
漏源电压(VDS):120V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):30mΩ(典型值)
功耗(PD):80W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:SM(表面贴装)
TOS 16-12SM MOSFET具备多项优良特性,使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。这对于需要长时间运行的电源设备尤为重要,可以有效减少发热并提高能源利用率。
其次,该器件具有较高的耐压能力(VDS为120V),能够在高电压环境下稳定工作,适用于多种功率转换拓扑结构,如降压、升压、反激和正激变换器等。同时,其±20V的栅源电压耐受能力增强了器件的抗干扰能力和稳定性,避免了由于电压波动导致的栅极击穿问题。
此外,TOS 16-12SM 采用SM封装形式,具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力,能够有效地将热量传导至PCB板或散热器上,从而提高器件的散热效率。这种封装形式也便于自动化生产,降低制造成本。
在热稳定性方面,TOS 16-12SM 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适合在极端环境条件下使用,如汽车电子、工业控制和航空航天等应用。其优异的热性能确保了器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,延长了使用寿命。
最后,该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关电源设计,减少了开关损耗并提高了响应速度。这一特点对于需要高效率和高性能的现代电子设备尤为重要。
TOS 16-12SM MOSFET因其优异的电气特性和热性能,被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,它常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、负载开关和电源模块中,以实现高效的能量转换和管理。
在汽车电子领域,该器件可用于电机控制、电池管理系统(BMS)、车载充电器以及LED照明驱动电路中,满足汽车电子对高可靠性和长寿命的需求。
此外,TOS 16-12SM 还适用于工业自动化设备、伺服电机控制、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等工业应用,提供稳定的功率控制和高效的能量转换。
消费类电子产品中,该MOSFET也可用于高功率便携式设备的电源管理电路中,如笔记本电脑、平板电脑和高性能智能手机的充电电路。
SiHF16N120DD-GE3, FDPF16N120DN