制造商：Qorvo
　　产品系列：MRF系列
　　晶体管类型：N沟道LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率范围：26 MHz ~ 500 MHz
　　输出功率（Pout）：100 W（典型值）
　　漏极电压（Vd）：28 V
　　增益：≥20 dB（典型值）
　　效率：≥70%（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.5:1
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C（结温）
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　安装方式：螺钉固定
　　输入阻抗匹配：内部匹配至50 Ω
　　散热要求：需外接散热器或风冷/水冷系统

QM100E2Y-24的核心优势在于其采用Qorvo成熟的LDMOS工艺技术，这种技术在高频大功率应用中展现出卓越的载流子迁移率和击穿电压控制能力，使得器件在高输出功率下仍能保持较低的失真和较高的效率。其宽频带响应能力覆盖从低频HF到VHF频段，适用于多频段或多通道系统的统一设计，减少物料种类，提升系统兼容性。该器件具备优异的热导性能，陶瓷封装不仅提供了良好的射频屏蔽效果，还能有效传导热量，配合推荐的散热方案可实现长时间满功率运行而不过热。此外，其内置的输入匹配网络显著降低了用户在PCB布局时对复杂匹配电路的需求，缩短开发周期，提高产品上市速度。
　　在可靠性方面，QM100E2Y-24经过严格的环境应力筛选（ESS）和寿命测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环测试，确保其在恶劣工业环境中长期稳定运行。器件对负载失配具有较强的耐受能力，即使在VSWR高达10:1的情况下也能安全工作，避免因反射功率导致的损坏，提升了系统鲁棒性。其栅极氧化层设计增强了抗静电放电（ESD）能力，减少了生产与维修过程中的失效风险。同时，该器件支持多种调制方式下的线性放大需求，适合用于需要高保真信号还原的应用场景，如医疗成像设备中的射频激励源。
　　另一个关键特性是其易于并联使用的能力。由于器件间参数一致性高，多个QM100E2Y-24可以并联以实现更高输出功率，适用于需要数百瓦甚至千瓦级输出的系统。这种模块化扩展方式便于构建可伸缩的射频功率平台，广泛应用于科研实验装置、大型工业加热设备和高能物理研究等领域。此外，制造商提供完整的应用指南、参考电路和热仿真模型，帮助工程师快速完成系统级设计与热管理评估。

QM100E2Y-24主要应用于需要高功率射频输出的工业与医疗设备中。典型用途包括工业感应加热系统，用于金属熔炼、热处理和焊接等工艺过程，其高效率和稳定性有助于降低能耗并提升生产效率。在医疗领域，该器件被用于磁共振成像（MRI）系统的射频发射链路，作为驱动梯度线圈的射频功率源，提供精确且稳定的射频激励信号，保障图像质量。此外，它还广泛应用于等离子体发生器，如半导体制造中的刻蚀与沉积设备、空气净化系统以及实验室用等离子炬，利用射频能量激发气体产生高温等离子体。
　　在科研与通信领域，QM100E2Y-24可用于构建宽带射频放大器，支持短波广播、EMC抗扰度测试设备以及电子对抗系统。其宽频率覆盖能力和高线性度使其成为通用型测试仪器的理想选择。同时，在射频能量应用中，如食品干燥、木材胶合和废物处理等新兴技术中，该器件能够将电能高效转化为射频能量，实现非接触式加热，具有环保、节能的优势。由于其高可靠性和抗干扰能力，也适用于户外或移动平台上的高功率发射机系统。

MRF100RH
　　MRF101BL
　　BLF188XR