HZM10NB1TL 时间：2025/9/7 17:32:05 阅读：32

HZM10NB1TL是一款由ROHM Semiconductor制造的双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频放大和开关应用，具有优异的电流增益和低饱和电压特性。由于其小型化封装和高性能，HZM10NB1TL广泛应用于便携式电子设备、无线通信模块和数字电路中。这款晶体管的封装类型为SMT（表面贴装技术），适用于自动化装配流程。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Pd）：100mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据不同的测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SMT（SC-70）
　　安装类型：表面贴装

特性

HZM10NB1TL晶体管具有多项优异特性，使其适用于多种高频和低功耗应用。首先，其NPN结构允许在低电压条件下实现高效能的电流放大。该晶体管的hFE（电流增益）范围为110至800，具体数值取决于测试电流和电压条件，这一宽泛的增益范围使其适用于多种放大电路设计。此外，HZM10NB1TL的最大集电极电流为100mA，足以满足大多数低功率电子设备的需求。
　　该晶体管的最大集电极-发射极电压（Vce）和集电极-基极电压（Vcb）均为50V，这确保了其在较高电压应用中的稳定性与可靠性。同时，最大功耗为100mW，使其在小型化电子设备中具有良好的热稳定性。
　　HZM10NB1TL采用SC-70封装，是一种适用于表面贴装技术（SMT）的小型封装形式。这种封装不仅节省空间，还提高了电路板的集成度，非常适合用于高密度组装的电子设备中。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种环境条件，包括工业级应用。

应用

HZM10NB1TL晶体管广泛应用于多个电子领域。在通信领域，它被用于射频（RF）放大器和信号调节电路中，适用于无线模块和蓝牙设备。在数字电路中，HZM10NB1TL常用于逻辑门电路、开关电路和缓冲器设计，以提高系统的响应速度和稳定性。此外，该晶体管还适用于传感器接口电路，能够将微弱信号放大以供后续处理。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，HZM10NB1TL凭借其小型封装和低功耗特性，成为理想的选择。工业控制设备和自动化系统也常采用该晶体管作为关键的开关或放大元件。