QM07N60F 时间：2025/5/23 0:03:21 阅读：8

QM07N60F是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高电压环境下稳定工作。

参数

型号：QM07N60F
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源极电压(Vds)：600V
　　最大栅源极电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：1.4Ω（在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：15W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+150℃

特性

QM07N60F具备以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适合高压应用场景。
　　2. 低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗并提升整体工作效率。
　　4. 稳定可靠的电气性能，确保在恶劣环境下的长期运行。
　　5. 小巧封装设计，便于安装和集成到紧凑型电路中。

应用

QM07N60F广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节和能量管理。
　　3. 电机驱动电路，提供高效的功率控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率开关。
　　5. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
　　6. 各种需要高效功率管理的电子设备。